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日本NDK晶振,NZ2016SHA,車載晶振,2016有源貼片,CMOS輸出振蕩器

頻率：1.5~80 MHZ

尺寸：2.0×1.6×0.7mm

日本NDK晶振,NZ2016SHA,車載晶振,2016有源貼片,CMOS輸出振蕩器，日本NDK晶振新生產(chǎn)研發(fā)的NZ2016SHA晶振適用于新宇宙用途。適合于安全類車載用途的高品質(zhì)、高信賴性設(shè)計(jì)，頻率可覆蓋1.5 to 80MHz間的廣泛范圍，可對(duì)應(yīng) -40 to +125℃的寬溫范圍，是車載晶振。尺寸2.0×1.6mm，為2016貼片晶振。低相位抖動(dòng) : Typ. 100 fs (頻率偏移：12 kHz to 20 MHz)@80 MHz, 3.3 V，可對(duì)應(yīng)CMOS輸出，纏帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)），為無鉛產(chǎn)品，符合AEC-Q100/Q200 標(biāo)準(zhǔn)。車載晶振可稱為為車規(guī)晶振，汽車晶振等，是指對(duì)使用在汽車或車載設(shè)備上的如汽車導(dǎo)航設(shè)備、安全設(shè)備、ADAS (自動(dòng) 駕駛輔助系統(tǒng))等應(yīng)用中的符合AEC-Q200技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的有源晶體振蕩器、晶體諧振器、傳感器、陀螺儀等頻率元器件的一個(gè)約定俗成的叫法。

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

yijin-1 日本NDK晶振,NZ2016SHA,車載晶振,2016有源貼片,CMOS輸出振蕩器

日本NDK晶振新生產(chǎn)研發(fā)的NZ2016SHA晶振適用于新宇宙用途。適合于安全類車載用途的高品質(zhì)、高信賴性設(shè)計(jì)，頻率可覆蓋1.5 to 80MHz間的廣泛范圍，可對(duì)應(yīng) -40 to +125℃的寬溫范圍，是車載晶振。尺寸2.0×1.6mm，為2016貼片晶振。低相位抖動(dòng) : Typ. 100 fs (頻率偏移：12 kHz to 20 MHz)@80 MHz, 3.3 V，可對(duì)應(yīng)CMOS輸出，纏帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)），為無鉛產(chǎn)品，符合AEC-Q100/Q200 標(biāo)準(zhǔn)。

車載晶振可稱為為車規(guī)晶振，汽車晶振等，是指對(duì)使用在汽車或車載設(shè)備上的如汽車導(dǎo)航設(shè)備、安全設(shè)備、ADAS (自動(dòng) 駕駛輔助系統(tǒng))等應(yīng)用中的符合AEC-Q200技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的有源晶體振蕩器、晶體諧振器、傳感器、陀螺儀等頻率元器件的一個(gè)約定俗成的叫法。

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規(guī)格	符號(hào)	值		單位
額定頻率	fnom	1.5 ≦ F ≦ 80		MHz
尺寸大小 (L×W×H)	-	2.0×1.6×0.7		mm
電源電壓	Vcc	+3.3 ±0.33		V
消耗電流（工作時(shí)）	ICC	Max. 9.0		mA
消耗電流（斷開時(shí)）	IST	Max. 20		μA
輸出規(guī)格	-	CMOS		-
負(fù)載電容	CL	Max. 15		pF
儲(chǔ)存溫度范圍	Tstr	-55 to +125		℃
工作溫度范圍	Topr	-40 to +125	-40 to +85	℃
綜合頻率允許偏差	Df/fnom	Max. ±100	Max. ±50	ppm
輸出電壓	VOL	Max. 0.1 VCC		V
輸出電壓	VOH	Min. 0.9 VCC		V
上升時(shí)間/下降時(shí)間	tr/tf	Max. 5		ns
波形對(duì)稱	SYM	45 to 55		%

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在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)：

石英晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請(qǐng)閱讀以下注意事項(xiàng)小心地正確使用晶體振蕩器確保設(shè)備的最佳性能.

1.電源旁路電容

使用本產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)放置一個(gè)約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間（盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能）.

2.安裝表面貼裝晶體時(shí)鐘振蕩器

（1）安裝電路板后溫度快速變化

當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時(shí)陶瓷有晶體時(shí)鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會(huì)破裂,如果受到影響長(zhǎng)時(shí)間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過

（2）通過自動(dòng)安裝進(jìn)行沖擊

當(dāng)晶體時(shí)鐘振蕩器被吸附或吸入時(shí)自動(dòng)安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時(shí)會(huì)發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會(huì)改變或惡化.

（3）板彎曲應(yīng)力

將晶體時(shí)鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會(huì)導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂.

3.抗跌落沖擊力

本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計(jì)得非常高抗自由落體沖擊（最多三次）.但是,如果錯(cuò)誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測(cè)量產(chǎn)品的性能或您要求我們?cè)俅螠y(cè)量它.

4.靜電

本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其有源產(chǎn)品元素.因此,在一個(gè)環(huán)境中處理產(chǎn)品對(duì)抗靜電的措施拍攝.

5.耐高溫

關(guān)于耐高溫性,使用產(chǎn)品時(shí)在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時(shí),產(chǎn)品的所有特點(diǎn)無法保證.要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi).

6. EMI

當(dāng)您考慮EMI時(shí),低電源電壓建議使用（例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V）.此外,請(qǐng)事先咨詢我們有關(guān)的組合針對(duì)上述EMI的兩種對(duì)策.

7.超聲波清洗

當(dāng)進(jìn)行本目錄中超薄小有源貼片晶振的超聲波清潔時(shí)根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等,該產(chǎn)品的晶體振蕩器可能會(huì)發(fā)生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請(qǐng)務(wù)必檢查條件.

8.請(qǐng)將水晶時(shí)鐘振蕩器用于特殊用途時(shí)歡迎與我們聯(lián)系.

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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日本NDK晶振 NZ2016SHA 車載晶振 2016有源貼片 CMOS輸出振蕩器

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