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地震傳感器的 SiTime MEMS 計(jì)時(shí)解決方案

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2024-12-17 09:45:26【
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       地震傳感器通常放置在偏遠(yuǎn)地區(qū),在那里它們受到惡劣條件的影響,以及與衛(wèi)星參考連接可能不可靠的區(qū)域。然而,傳感器必須繼續(xù)提供準(zhǔn)確的時(shí)間戳數(shù)據(jù)。SiTime MEMS 計(jì)時(shí)解決方案提供了地震傳感器所需的基本可靠性和精度。
       SiTime晶振超穩(wěn)定的 Super-TCXO 和 OCXO 經(jīng)過優(yōu)化,可在較長時(shí)間內(nèi)提供準(zhǔn)確的時(shí)間戳。對于功率敏感型應(yīng)用,SiTime μPower TCXO 提供精確的低功耗基準(zhǔn)。這些基于 MEMS 的 TCXO 在惡劣條件下提供極高的環(huán)境穩(wěn)健性。

SiTime MEMS 定時(shí)優(yōu)勢
一、工業(yè)計(jì)時(shí)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者
    基礎(chǔ)設(shè)施故障檢測
    地震檢測
    地質(zhì)勘探

二、在實(shí)際條件下最堅(jiān)固
    4 倍的 dF/dT 實(shí)現(xiàn)最佳時(shí)間戳
    70 g 振動(dòng)和 30,000 g 沖擊
    6 μA 電流,用于擴(kuò)展部署

三、易于使用,經(jīng)久耐用
    自定義配置的解決方案
    無 quartz 可靠性問題
    10 億小時(shí) MTBF


       從廣義上講,地震傳感器只是使用速度傳感器或加速度計(jì)測量地殼或表面的振動(dòng)和沖擊波。根據(jù)應(yīng)用的不同,這些傳感器需要精確測量 0.001 至 100 Hz 范圍內(nèi)的頻率。

地震傳感器應(yīng)用范圍廣泛:

1、地震監(jiān)測
2、自然資源勘探(例如石油勘探)
3、海底觀察
4、核武器試驗(yàn)監(jiān)測
5、政府和軍隊(duì)的個(gè)人和車輛監(jiān)控(例如,無人值守地面?zhèn)鞲衅?(UGS))


在所有應(yīng)用中,傳感器都需要在惡劣環(huán)境中遠(yuǎn)程工作,并且通常由電池供電。因此,這些 sensors 中使用的 timing devices 需要提供以下內(nèi)容:


1、隨時(shí)間和溫度范圍變化的頻率穩(wěn)定性
2、寬溫度工作范圍
3、低功耗,電池壽命更長
4、環(huán)境穩(wěn)健性(例如沖擊和振動(dòng))


地震傳感器框圖

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精確計(jì)時(shí)在地震勘探中的作用
       地震傳感器的一個(gè)基本功能是數(shù)據(jù)的時(shí)間戳。這種時(shí)間戳是必不可少的,因?yàn)閿?shù)據(jù)是從一系列傳感器收集的,并且需要及時(shí)進(jìn)行正確的關(guān)聯(lián),以便可用于以后的分析。隨著非有線傳感器陣列的增長,精確的本地計(jì)時(shí)至關(guān)重要。需要本地計(jì)時(shí),因?yàn)槿绻?GNSS 源受到干擾或阻礙,依賴 GNSS 進(jìn)行計(jì)時(shí)的傳感器可能無法更新計(jì)時(shí)數(shù)據(jù)。由于環(huán)境條件(埋藏、水下等),其他傳感器類型可能無法接收任何外部定時(shí)信號。

一系列解決方
       SiTime 提供一系列滿足應(yīng)用要求的計(jì)時(shí)解決方案,從針對商業(yè)應(yīng)用的 TXCO 到針對高可靠性應(yīng)用的更強(qiáng)大的 Endura™ 加固產(chǎn)品線。
       SiTime Super-TCXO 是精密定時(shí)解決方案,具有卓越的動(dòng)態(tài)性能和豐富的功能。
       Epoch 平臺(tái) MEMS 恒溫控制振蕩器 (OCXO 系列旨在解決石英 OCXO晶振 長期存在的問題,這些問題本身不可靠,并且在存在環(huán)境壓力源的情況下容易性能下降。Epoch 平臺(tái) OCXO 對熱沖擊、氣流和振動(dòng)具有彈性,使其成為地震應(yīng)用惡劣環(huán)境的理想選擇。


地震傳感器的 MEMS 定時(shí)

設(shè)備 功能 主要特點(diǎn)
SiT58xx OCXO 時(shí)間戳和引用
10 至 220 MHz

±1 至 ±5 ppb

±10 至 ±20 ppt/°C 頻率斜率
420 至 460 mW 功耗
SiT535x 超級 TCXO 時(shí)間戳和引用
10 至 220 MHz

±50 至 ±250 ppb

±1 ppb/°C
±80 ppb 20 年老化

70G 抗振能力

110 mW 功耗
SiT1576 μPower TCXO 低功耗基準(zhǔn)
1 Hz 至 2.5 MHz
±5 ppm 總穩(wěn)定性

6 μA 電流消耗

SiT5541 加固型 Super-TCXO晶振 時(shí)間戳和引用
1 至 60 MHz

±10 至 ±20 ppb

±0.5 ppb/°C
0.01 ppb/g 振動(dòng)靈敏度
110 mW 功耗
SiT7910 系列超級 TCXO 每秒脈沖數(shù) (pps) 計(jì)時(shí)

32.768 赫茲

同類最佳的 ±0.1 至 0.4 ppm 穩(wěn)定性

6 μA 電流消耗




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國內(nèi)晶振分類:
Domestic Crystal
進(jìn)口晶振分類:
Import Crystal