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電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩器

頻率:10MHz

尺寸:20.8 x 13.2 x 7.9 mm

電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩器   GTXO - 14T/DL - 10MHz 是 Golledge 為電信應(yīng)用量身定制的有源晶振,屬于溫度補(bǔ)償振蕩器。它能輸出精準(zhǔn)的 10MHz 頻率,通過先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù),有效減少溫度變化導(dǎo)致的頻率漂移,確保在復(fù)雜環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作。有源設(shè)計簡化了電路,提高了可靠性。廣泛應(yīng)用于基站、核心網(wǎng)等電信設(shè)備,為電信網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效通信提供關(guān)鍵的時鐘信號支持。
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yijin-1電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩器

在電信領(lǐng)域,精準(zhǔn)穩(wěn)定的時鐘信號是保障通信網(wǎng)絡(luò)高效運(yùn)行的基石,Golledge 的 GTXO - 14T/DL - 10MHz 有源晶振正是這樣一款至關(guān)重要的產(chǎn)品。作為溫補(bǔ)晶振,它能敏銳感知環(huán)境溫度變化,并迅速做出調(diào)整,確保輸出的 10MHz 頻率始終精準(zhǔn)穩(wěn)定。
電信網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜多變,溫度波動、電磁干擾等因素都可能影響信號傳輸。GTXO - 14T 石英晶體振蕩器憑借先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù),有效抵御溫度對頻率的影響,大大減少了頻率漂移。其有源設(shè)計無需額外復(fù)雜的電路支持,就能穩(wěn)定輸出高質(zhì)量的時鐘信號,為電信設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力保障。
無論是在基站設(shè)備中保障信號的精準(zhǔn)收發(fā),還是在核心網(wǎng)設(shè)備里維持?jǐn)?shù)據(jù)的高速處理,Golledge晶振的 GTXO - 14T 都能以其卓越的性能,確保電信系統(tǒng)的可靠運(yùn)行,助力構(gòu)建穩(wěn)定、高效的通信網(wǎng)絡(luò)。

yijin-2電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩器

頻率范圍 6.40 ~ 100兆赫
尺寸 20.8 x 13.2 x 7.9 毫米
頻率校準(zhǔn) ±1.0 ppm (@ +25°C)
頻率穩(wěn)定性 ±4.6 ppm
保持穩(wěn)定性(僅限選項 D) ±24 小時內(nèi)最大 0.32 ppm
溫度滯后 ±0.4ppm 以下
儲存溫度范圍 -55 至 +125°C
頻率與電源電壓 ±50ppb,VDD 系列±5%
頻率與負(fù)載變化 ±50ppb,ZL±5%
老化 ±3.0ppm 最大 20 年
短期老化(僅限選項 D) 每天 ±40ppb,±4.63x10-13每秒
電源電流 1.3mA 典型值,最大 2.9mA (≤52.0MHz)
最大 12.0mA (>52.0MHz)
輸出波形 削峰正弦波晶振,1.0V p-p (≤40MHz)
削波正弦波,0.8V p-p (>40MHz)
試驗載荷 (ZL) 10kΩ // 10pF
啟動時間 最大 1.0ms
相位噪聲 (典型值 @ 19.44MHz) -90dBc/Hz @ 10Hz
-120dBc/Hz @ 100Hz
-140dBc/Hz @ 1kHz
-150dBc/Hz @ 10kHz
-152dBc/Hz @ 100kHz
周期抖動 RMS 3ps(典型值),5ps(最大值)
相位抖動 RMS 0.5ps typ,最大 1.0ps,12kHz~fo/2

GTXO-14T

yijin-3電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩器

GTXO-14T TCXO

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電信應(yīng)用晶振,GTXO-14T/DL-10MHz,溫度補(bǔ)償振蕩器,Golledge有源晶振,GTXO-14T振蕩
所有石英晶振產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

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