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領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振

頻率:26MHZ

尺寸:2520mm

領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振,臺(tái)灣HOSONIC晶振公司,臺(tái)產(chǎn)晶振,鴻星晶振,特點(diǎn):非常緊湊和薄(2.5*2.0*0.65毫米最大)頻率范圍12M ~ 62.5M,具有優(yōu)良的電氣性能,是OA(辦公自動(dòng)化),AV(視聽(tīng)),藍(lán)牙和無(wú)線局域網(wǎng)應(yīng)用的理想選擇。優(yōu)異的耐熱性和抗震性,無(wú)鉛。滿足使用無(wú)鉛焊料的回流剖面要求.無(wú)源晶振,四腳晶振,貼片晶振,石英晶振,鴻星晶振,臺(tái)灣晶振,2520晶振,6G室外基站晶振,航空航天晶振,空間站晶振,環(huán)保無(wú)鉛晶振,高精度晶振,北斗衛(wèi)星定位模塊晶振,智能水表晶振
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領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振,臺(tái)灣HOSONIC晶振公司,臺(tái)產(chǎn)晶振,鴻星晶振,特點(diǎn):非常緊湊和薄(2.5*2.0*0.65毫米最大)頻率范圍12M ~ 62.5M,具有優(yōu)良的電氣性能,是OA(辦公自動(dòng)化),AV(視聽(tīng)),藍(lán)牙和無(wú)線局域網(wǎng)應(yīng)用的理想選擇。優(yōu)異的耐熱性和抗震性,無(wú)鉛。滿足使用無(wú)鉛焊料的回流剖面要求.無(wú)源晶振,四腳晶振,貼片晶振,石英晶振,鴻星晶振,臺(tái)灣晶振,2520晶振,6G室外基站晶振,航空航天晶振,空間站晶振,環(huán)保無(wú)鉛晶振,高精度晶振,北斗衛(wèi)星定位模塊晶振,智能水表晶振

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領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振

項(xiàng)目   標(biāo)志 E2SB
頻率范圍 F0 12 to 15.999MHz
工作模式 Fundamental
負(fù)載電容 CL 8  to 16pF
頻率容差 F/ F0 ±10ppm,±15ppm,±30ppm(At 25)
等效串聯(lián)電阻 ESR 120Ω max.
溫度穩(wěn)定度 TC ±10ppm,±15ppm,±30ppm(Refer to 25)
工作溫度范圍 TOPR -20~+70,-30~+85 Option
儲(chǔ)存溫度范圍 TSTG -55~+125℃
分流電容 C0 3pF max.
絕緣電阻 IR 500MΩ min. (At 100VDC)
驅(qū)動(dòng)電平 DL 50?W(100?W max.)
老化 Fa ±2ppm max. (At 25,First year)
包裝單位 3000pcs/reel
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領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振

E2SB(Former HCX-2SB) 2520

E2SB

鴻星原廠編碼 生產(chǎn)商品牌 型號(hào) 頻率 頻率穩(wěn)定度 頻率容差 負(fù)載電荷 工作溫度
E2SB40E000104ECBB8 Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±7ppm 12pF -30°C ~ 90°C
E2SB38E0X0300E Hosonic晶振 E2SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -30°C ~ 85°C
E2SB40E000107E Hosonic晶振 E2SB 40 MHz -12ppm, +20ppm ±5ppm 12pF -40°C ~ 105°C
E2SB40E00010AE Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±7ppm 7pF -30°C ~ 85°C
E2SB27E0X0000E Hosonic晶振 E2SB 27.12 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -20°C ~ 70°C
E2SB24E001801E Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±20ppm ±20ppm 12pF -40°C ~ 85°C
E2SB40E000108E Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±15ppm ±7ppm 6pF -40°C ~ 100°C
E2SB12E000005E Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±20ppm ±20ppm 12pF -20°C ~ 70°C
E2SB16E00000ME Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF -40°C ~ 85°C
E2SB26E001201E Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±13ppm ±5ppm 9pF -40°C ~ 85°C
E2SB32E001201E Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF -30°C ~ 85°C
E2SB12E000014E  Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±10ppm ±10ppm 20pF -20°C ~ 70°C
E2SB12E009200E  Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±20ppm ±30ppm 10pF -40°C ~ 85°C
E2SB16E000003E  Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF -20°C ~ 70°C
E2SB16E000007E  Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB24E00000LE Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB24E00000ZE  Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E2SB24E000016E  Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 20pF  -30°C ~ 85°C
E2SB26E000005E Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF -20°C ~ 70°C
E2SB26E000103E  Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±10ppm ±10ppm 7.5pF  -20°C ~ 75°C
E2SB27E00000EE  Hosonic晶振 E2SB 27 MHz ±10ppm ±10ppm 20pF  -30°C ~ 85°C
E2SB27E0X000CE  Hosonic晶振 E2SB 27.12 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB32E00000LE  Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E2SB32E000018E  Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±20ppm 10pF -40°C ~ 85°C
E2SB37E0X0002E  Hosonic晶振 E2SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB37E0X0004E  Hosonic晶振 E2SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB38E0X000HE  Hosonic晶振 E2SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E00000JE  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±7ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E00000RE  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF -40°C ~ 85°C
E2SB40E00000WE  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000003E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000007E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000009E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000103E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±7ppm ±10ppm 11pF  -40°C ~ 100°C
E2SB48E000009E  Hosonic晶振 E2SB 48 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB54E000000E  Hosonic晶振 E2SB 54 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -20°C ~ 70°C

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深圳市億金電子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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ECS-2520S33-200-FN-TR,無(wú)線應(yīng)用晶振,HCMOS輸出
ECS-2520S33-200-FN-TR,無(wú)線應(yīng)用晶振,HCMOS輸出
ECS-2520S33-200-FN-TR,無(wú)線應(yīng)用晶振,HCMOS輸出,針對(duì)無(wú)線設(shè)備多面臨復(fù)雜電磁環(huán)境,需長(zhǎng)期穩(wěn)定通信的特點(diǎn),ECS-2520S33-200-FN-TR在性能上進(jìn)行專項(xiàng)優(yōu)化:工作溫度范圍覆蓋-40℃~+85℃,配合內(nèi)部溫度補(bǔ)償技術(shù),即使在戶外高溫,低溫等極端環(huán)境下,也能有效抑制頻率漂移,確保無(wú)線信號(hào)傳輸?shù)臅r(shí)序準(zhǔn)確性,避免因時(shí)鐘偏差導(dǎo)致的通信中斷,具備優(yōu)異的電磁抗干擾能力,通過(guò)特殊封裝屏蔽設(shè)計(jì),抵御無(wú)線設(shè)備自身射頻模塊及外部環(huán)境的電磁輻射干擾,減少HCMOS輸出晶體振蕩器信號(hào)的噪聲疊加,提升無(wú)線通信的信噪比.此外,其低功耗特性(典型工作電流<7mA)適配無(wú)線設(shè)備電池供電需求,延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航周期,減少戶外充電或更換電池的頻率,是無(wú)線應(yīng)用場(chǎng)景的"可靠時(shí)鐘伴侶".
ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振蕩器,高密度晶振
ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振蕩器,高密度晶振
ECS-2033-240-BN-TR3,ECS-2033振蕩器,高密度晶振,ECS-2033-240-BN-TR3憑借高密度封裝,24MHz頻率及高穩(wěn)定性,全面適配多領(lǐng)域高密度設(shè)備,在消費(fèi)電子領(lǐng)域,可嵌入智能手機(jī)射頻模塊,智能手表主控電路,節(jié)省PCB空間,24MHz頻率支撐藍(lán)牙晶振,WiFi等高速無(wú)線通信的時(shí)序需求,在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,適配高密度PLC模塊,智能傳感器陣列,耐受復(fù)雜電磁環(huán)境,保障多傳感器數(shù)據(jù)采集的時(shí)序同步,避免數(shù)據(jù)錯(cuò)亂,在醫(yī)療電子領(lǐng)域,適用于便攜醫(yī)療監(jiān)測(cè)設(shè)備的高密度主板,滿足設(shè)備小型化要求,同時(shí)高穩(wěn)定性可保障醫(yī)療數(shù)據(jù)采集的準(zhǔn)確性,是一款跨領(lǐng)域高密度場(chǎng)景的通用型振蕩器.
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