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TXC晶振,差分晶振,BN晶振,BP晶振

頻率：60M~700MHZ

尺寸：5.0x7.0mm

差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.

訂購熱線：0755-27876565

臺灣晶技TXC晶振公司為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商,自1983年成立以來,始終致力于石英晶體相關諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設計、生產(chǎn)與銷售,并因應市場應用與需求,透過自主核心技術,成功開發(fā)出各式感測組件(Sensor),產(chǎn)品可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務器儲存設備、車用、電信、醫(yī)療…等市場.

為確保安全、提高保護預防措施、產(chǎn)品的可靠性以及職業(yè)安全,確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性,通過正式的管理評審和對健康、安全和環(huán)境實施效果的持續(xù)改進,保護人群及財產(chǎn)與環(huán)境.

臺灣晶技TXC晶振公司以最小化使用危險材料、能源和其它資源為目的進行公司產(chǎn)品及服務的安全生產(chǎn)和使用,并確保回收利用.以防治污染、保存資源的方式進行商務運作,并積極地對以往的環(huán)境破壞進行揭露.持續(xù)改進,將環(huán)境管理與商務運行和決策過程高度集成,規(guī)范其行為.不斷進行持續(xù)改進的實踐.

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TXC晶振,差分晶振,BN晶振,BP晶振,差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點,差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲存溫度非常寬,客戶實驗證明工作溫度可以到達低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動晶振能達到1V,起振時間為0秒,隨機抖動性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關參數(shù).

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TXC晶振型號	符號	BN晶振,BP晶振
輸出規(guī)格	-	LVDS
輸出頻率范圍	fo	60~700MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-55~+125℃
運行溫度范圍	T_use	-10~+70℃ ,-40~+85℃
消耗電流	I_CC	20mA max.
待機時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負載	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形對稱	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-更多特殊參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gslzqx.com
1電平電壓	V_OH	-
上升時間下降時間	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	0.247~0.454V
差分輸出誤差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
補償電壓	V_OS	1.125~1.375V
補償電壓誤差	⊿V_OS	50mV
交叉點電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	2ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz]

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BN晶振尺寸圖

TXC_BN_7_5 LVDS VCXO

BP晶振尺寸圖

TXC_BP_7_5 LVDS VCXO

yijin-4 在使用TXC晶振時應注意

晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請閱讀以下注意事項小心地正確使用晶體振蕩器確保設備的最佳性能.

1.電源旁路電容

使用本產(chǎn)品時,請放置一個約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間（盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能）.

2.安裝表面貼裝晶體時鐘振蕩器

（1）安裝電路板后溫度快速變化

當安裝板的材料為表面安裝時5x7石英晶體振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會破裂,如果受到影響長時間反復發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過.

（2）通過自動安裝進行沖擊

當晶體時鐘振蕩器被吸附或吸入時自動安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時會發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會改變或惡化.

（3）板彎曲應力

將晶體時鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會導致焊接部分剝落關閉或振蕩器封裝由于機械應力而破裂.

3.抗跌落沖擊力

本目錄中的差分石英晶體振蕩器設計得非常高抗自由落體沖擊（最多三次）.但是,如果錯誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測量產(chǎn)品的性能或您要求我們再次測量它.

4.靜電

本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其有源產(chǎn)品元素.因此,在一個環(huán)境中處理產(chǎn)品對抗靜電的措施拍攝.

5.耐高溫

關于耐高溫性,使用產(chǎn)品時在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時,產(chǎn)品的所有特點無法保證.要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內.TXC晶振,差分晶振,BN晶振,BP晶振

6. EMI

當您考慮EMI時,低電源電壓建議使用（例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V）.此外,請事先咨詢我們有關的組合針對上述EMI的兩種對策.

7.超聲波清洗

當進行本目錄中產(chǎn)品的超聲波清潔時根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等,該產(chǎn)品的晶體振蕩器可能會發(fā)生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請務必檢查條件.

8.請將水晶時鐘振蕩器用于特殊用途時歡迎與我們聯(lián)系.

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

mphone 聯(lián)系人黃娜：18924600166

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BN晶振 BP晶振六腳LVDS差分輸出晶體振蕩器

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