愛(ài)普生的SAW振蕩器具有高頻和低抖動(dòng)特性

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瀏覽：- 發(fā)布日期：2019-05-10 09:37:18【大中小】

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我們都知道愛(ài)普生是日本晶體行業(yè)的佼佼者,專業(yè)研發(fā)制造石英晶體,貼片晶振,有源晶體振蕩器,其實(shí)除了晶振產(chǎn)品,愛(ài)普生也生產(chǎn)辦公自動(dòng)化以及貼片電容,濾波器等產(chǎn)品.在SAW晶體濾波器方面同樣取得出色表現(xiàn).

愛(ài)普生的SAW振蕩器具有高頻和低抖動(dòng)特性,愛(ài)普生的SAW石英晶體振蕩器具有高速串行通信所需的“高頻”和“低抖動(dòng)特性”性能.SAW振蕩器包含一個(gè)超過(guò)100MHz的SAW諧振器,工作在穩(wěn)定的基波振蕩.此外,它還支持各種輸出類型和電源電壓.

EPSON晶振	標(biāo)稱頻率范圍	電源電壓	產(chǎn)量	包裝尺寸[mm]
XG-1000CB振蕩器	50MHz~170MHz	1.8V,2.5V,3.3V	CMOS	53.2××1.1噸
XG-1000CA振蕩器	50MHz~170MHz	1.8V,2.5V,3.3V	CMOS	7×5×1.2t
EG-2021CA晶振	62.5MHz~250MHz	2.5V	CMOS	7×5×1.2t
EG-2001CA晶振	106.25MHz~170MHz	3.3V	CMOS	7×5×1.2t
EG-2002CA晶振	62.5MHz~170MHz	3.3V	LV-TTL	7×5×1.2t
EG-2121CA振蕩器	53.125MHz~700MHz	2.5V	差分LV-PECL/ LVDS/HCSL	7×5×1.2t
EG-2102CA晶振	53.125MHz~700MHz	3.3V	差分LV-PECL/ LVDS/HCSL	7×5×1.2t
EG-2101CA晶振	62.5MHz~99.999MHz	2.5V	差分LV-PECL	7×5×1.2t
EG-4101CA晶體振蕩器	100MHz~625MHz	3.3V	差分LV-PECL/ LVDS/HCSL	7×5×1.2t
EG-4121CA晶振晶體	100MHz~500MHz	2.5V	差分LV-PECL/ LVDS/HCSL	7×5×1.2t

SAW晶體振蕩器使用注意事項(xiàng)

對(duì)于SAW振蕩器性能,為了達(dá)到效果,實(shí)現(xiàn)更高效的作用,請(qǐng)仔細(xì)閱讀以下愛(ài)普生的SAW濾波器振蕩器使用注意事項(xiàng).

	筆記	原因
1	該設(shè)備包含一個(gè)SAW諧振器,因此請(qǐng)不要受到過(guò)度沖擊或振動(dòng).	該設(shè)備中的SAW諧振器可能損壞.
2	超聲波清洗可以在本產(chǎn)品上使用,但是,由于晶體振蕩器在某些情況下可能會(huì)損壞,請(qǐng)?zhí)崆爸?jǐn)慎操作.	此設(shè)備中的SAW諧振器或電線可能損壞.
3	可以自動(dòng)插入,但是,如果機(jī)械地產(chǎn)生過(guò)多的沖擊或振動(dòng),則可能損壞內(nèi)部SAW諧振器.務(wù)必提前檢查您的機(jī)器狀況.	該設(shè)備中的SAW諧振器可能損壞.
4	該器件采用C-MOSIC制造.請(qǐng)采取必要的預(yù)防措施,以防止由于靜電放電（ESD）造成的損壞.	此設(shè)備中的IC可能已損壞.
5	我們建議在Vcc和GND之間放置一個(gè)0.01mF至0.1mF的電容,以獲得穩(wěn)定的工作并防止電源線紋波.	電源紋波/噪聲可能會(huì)導(dǎo)致抖動(dòng)特性惡化.
6	Vcc和GND模式應(yīng)盡可能大,以便晶振高頻阻抗小.	電源會(huì)產(chǎn)生紋波/噪聲,可能會(huì)導(dǎo)致電氣特性惡化.
7	金屬蓋連接到GND＃3引腳.請(qǐng)采取必要的預(yù)防措施,防止接觸金屬蓋與GND短路.	與金屬蓋接觸時(shí),電路可能會(huì)短路.
8	電源的啟動(dòng)時(shí)間（0至90％Vcc）應(yīng)大于150ms,壓擺率應(yīng)小于19.8mV/ms.我們不建議從中間電壓或極快速上電開(kāi)啟.這些供電條件可能不會(huì)引起振蕩或異常振蕩.	當(dāng)電源啟動(dòng)時(shí)間過(guò)高時(shí),振蕩可能不會(huì)開(kāi)始.
9	請(qǐng)通過(guò)差分阻抗100歐姆設(shè)計(jì)輸出線,并嘗試使輸出線盡可能短.較長(zhǎng)的輸出線可能會(huì)導(dǎo)致輸出不規(guī)則.	長(zhǎng)輸出線會(huì)導(dǎo)致波反射和不規(guī)則輸出.
10	其他高電平信號(hào)線可能導(dǎo)致錯(cuò)誤操作,因此請(qǐng)勿將高電平信號(hào)線靠近此設(shè)備.	它可能受到信號(hào)線噪聲或正常振蕩劑量無(wú)法啟動(dòng)的影響.
11	我們建議在室溫和常濕下使用和儲(chǔ)存EPSON Crystal,以確保頻率準(zhǔn)確性并防止潮濕.	在高溫環(huán)境下,老化可能會(huì)加速.此外,有源晶振，晶體振蕩器電路可能因結(jié)露而縮短.
12	不使用OE引腳連接時(shí),請(qǐng)連接到Vcc.我們建議在OE和Vcc之間安裝一個(gè)電阻,以減輕浪涌等影響	此設(shè)備中的IC可能已損壞.
13	分配輸出信號(hào)時(shí),請(qǐng)使用時(shí)鐘分頻器IC（LVDS扇出緩沖器）.	分配輸出信號(hào)會(huì)導(dǎo)致波反射和不規(guī)則輸出.
14	DUT的表面溫度可能會(huì)因自身發(fā)熱而從周圍溫度升高.請(qǐng)確認(rèn)安裝在實(shí)際基板上的DUT會(huì)導(dǎo)致溫度升高,因?yàn)樗赡軙?huì)因安裝條件而改變.	該設(shè)備的溫度高于規(guī)格.可能存在電特性惡化.
15	建議回流時(shí)間少于2倍.如果該設(shè)備在電路板背面進(jìn)行回流焊接,請(qǐng)仔細(xì)檢查設(shè)備是否正確固定,以防止從卡上脫落.	晶振晶體頻率可能會(huì)因回流熱而改變.當(dāng)器件回流焊接在電路板的背面時(shí),器件可能會(huì)脫落.