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日本村田晶振,貼片晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK26M000F1QC3P0晶振

頻率：12M~52MHZ

尺寸：3.2x2.5mm

3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,3225晶振是民用小型無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品的不錯(cuò)選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的陶瓷晶振,陶瓷晶體諧振器,陶瓷濾波器電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè).不僅是手機(jī)、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影.

村田自1973年在中國(guó)香港成立第一家銷售公司起,至今村田中國(guó)已擁有19個(gè)銷售據(jù)點(diǎn)、4個(gè)工廠以及4個(gè)研發(fā)設(shè)計(jì)基地,近距離為客戶提供及時(shí)有效的服務(wù)和技術(shù)支持.村田中國(guó)以滿足客戶的要求作為企業(yè)經(jīng)營(yíng)的最優(yōu)先課題,全體員工同心協(xié)力完成工作.

從設(shè)計(jì)階段開(kāi)始減少環(huán)保負(fù)荷的體制建設(shè),村田由環(huán)保主管董事?lián)握麄€(gè)集團(tuán)的環(huán)?；顒?dòng)的總負(fù)責(zé)人,由環(huán)保部跨事業(yè)所支持和促進(jìn)環(huán)?；顒?dòng).此外,社長(zhǎng)的咨詢機(jī)構(gòu)—環(huán)保委員會(huì),還針對(duì)各據(jù)點(diǎn)的活動(dòng)情況和全公司的環(huán)保課題進(jìn)行議論和探討.此外,為大力推進(jìn)二氧化碳減排活動(dòng),設(shè)立了“防止全球變暖委員會(huì)”,加快設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中CO2減排活動(dòng)的步伐.

截止到2006年度,村田晶振公司在國(guó)內(nèi)外的所有生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)以及國(guó)內(nèi)的非生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)——村田制作所總公司、東京分公司、營(yíng)業(yè)所,均取得了ISO14001認(rèn)證.此后,村田努力開(kāi)展體系整合,并于2007年3月在國(guó)內(nèi)集團(tuán)的34個(gè)據(jù)點(diǎn)完成了向ISO14001多站認(rèn)證的轉(zhuǎn)變.村田力求通過(guò)此舉,落實(shí)從設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)、銷售的一條龍環(huán)保管理,同時(shí)還將在一部分據(jù)點(diǎn)取得顯著成效的改善事例推廣應(yīng)用到其他據(jù)點(diǎn)等,以提高整個(gè)集團(tuán)的環(huán)?？?jī)效.

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日本村田晶振,貼片晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK26M000F1QC3P0晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.

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產(chǎn)品類別	水晶單位
系列	XRCJK
類型	TSS-3225J晶振
晶振頻率	12M~52MHZ
頻率容差	最多+/- 10ppm。（25 +/- 3℃）
工作溫度范圍	-30℃至85℃
溫度變化	最多+/- 15ppm
頻率老化	+/- 3ppm最大/年
等效串聯(lián)電阻（ESR）	最大80歐姆
驅(qū)動(dòng)電平（DL）	30μW
負(fù)載電容（Cs）	為8pF
形狀	SMD
洗	無(wú)法使用
長(zhǎng)x寬（大?。?/span>	3.2x2.5mm

村田貼片晶振型號(hào)對(duì)照表

XRCHJ	TDS-2520F晶振	2.5×2.0×0.5	16至52MHz	縫合密封包適用于各類數(shù)字通訊設(shè)備
XRCJK	TSS-3225J晶振	3.2×2.5×0.8	12到52MHz
XRCLK	TSS-5032A晶振	5.0×3.2×1.05	10到52MHz

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XRCJK26M000F1QC3P0 3.2-2.5

村田TSS-3225J晶振編碼

村田貼片晶振	型號(hào)	頻率	頻率公差	其他用途
XRCJK12M000F1QB4P0	TSS-3225J晶振	12.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	消費(fèi)級(jí)
XRCJK13M000F1QA3P0	TSS-3225J晶振	13.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	消費(fèi)級(jí)
XRCJK15M360F1QA0P0	TSS-3225J晶振	15.3600MHz	±10ppm max. (25±3℃)	消費(fèi)級(jí)
XRCJK20M000F1QB3P0	TSS-3225J晶振	20.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	消費(fèi)級(jí)
XRCJK24M576F1QA0P0	TSS-3225J晶振	24.5760MHz	±10ppm max. (25±3℃)	消費(fèi)級(jí)
XRCJK26M000F1QC3P0	TSS-3225J就	26.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	消費(fèi)級(jí)
XRCJK36M000F1QA0P0	TSS-3225J晶振	36.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	消費(fèi)級(jí)
XRCJK40M000F1QA2P0	TSS-3225J晶振	40.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	消費(fèi)級(jí)
XRCJK52M000F1QA0P0	TSS-3225J晶振	52.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	消費(fèi)級(jí)

yijin-4 在使用村田晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問(wèn)題：

一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組.（請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ/1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于200Ω時(shí)的村田晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測(cè)量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值.

如果村田車載晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤(pán)和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.日本村田晶振,貼片晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK26M000F1QC3P0晶振

當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下-電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動(dòng)后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問(wèn)題不能得到解決.系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒(méi)有足夠的輸出波形振幅.

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TSS-3225J晶振 XRCJK26M000F1QC3P0晶振村田26M石英晶體

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