微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,CC1F-T1A晶振
頻率:8M~24MHZ
尺寸:8.0X3.7mm
微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產品.
而今,微晶已經發展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個領域的領導供貨商,為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持,服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業控制、植入式醫療及其他高可靠性產品.
微晶晶振在瑞士、泰國建有石英晶振,晶體振蕩器生產中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的產品都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規范的要求.全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石.我們對管理、環境、社會責任都有明確的行為準則(比如對有爭議的原材料的問題上),這些是我們在未來保持競爭優勢的主要原因.
微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,CC1F-T1A晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
微晶晶振規格 |
單位 |
CC1A-T1AH晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
8MHZ~24MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +200°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-55°C ~ +125℃ |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
微晶晶振規格 |
單位 |
CC1F-T1A晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
30MHZ~250MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
CC1A-T1AH晶振尺寸圖:
CC1F-T1A晶振尺寸圖:
在使用微晶晶振時應注意以下事項:
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,CC1F-T1A晶振
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