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希華晶振,貼片晶振,GX-70502晶振

頻率：6M~70MHZ

尺寸：7.0x5.0mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性?xún)r(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

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希華晶振晶體科技有限公司成立于1988年,希華正式成立, 資本額為1,500萬(wàn)元整,開(kāi)始以普通石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售.從人工晶棒長(zhǎng)成到最終產(chǎn)品,透過(guò)最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù),建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務(wù).

在十年的時(shí)間里希華晶體科技刻苦專(zhuān)研,開(kāi)發(fā)大量新產(chǎn)品,正式從原始普通石英晶體諧振器,慢慢的步入SMD晶體,有源貼片晶振領(lǐng)域,并且成功在1998年回到祖國(guó)的懷抱,到了沒(méi)了的中國(guó)廣東省東莞市投資建廠, 主要生產(chǎn)SMD晶振系列,剛開(kāi)始以有源5070mm石英晶體振蕩器為主.后在慢慢的開(kāi)始量產(chǎn)常規(guī)石英晶體諧振器,后以小尺寸3225mm,2520mm貼片晶振為主.

希華晶振晶體科技有限公司敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開(kāi)發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū).且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域,加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn),藉以擴(kuò)大公司營(yíng)收規(guī)模并且提升獲利空間.
希華晶振晶體科技有限公司藉由臺(tái)灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)與制程資源整合,不斷開(kāi)發(fā)創(chuàng)新及制程改造,以全系列完整產(chǎn)品線,來(lái)滿足客戶對(duì)石英元件多樣化的需求.積極地透過(guò)產(chǎn)學(xué)合作與配合國(guó)外技術(shù)引進(jìn)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品,多角化經(jīng)營(yíng)、擴(kuò)大市場(chǎng)領(lǐng)域,此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營(yíng)的方針.

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希華晶振,貼片晶振,GX-70502晶振,貼片石英晶振最適合用于車(chē)載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱(chēng)為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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希華晶振規(guī)格	單位	GX-70502晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	6MHZ~70MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gslzqx.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

GX-70502 GX-70504 7050

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在使用希華晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問(wèn)題：

一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測(cè)量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值.

如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤(pán)和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.希華晶振,貼片晶振,GX-70502晶振

當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動(dòng)后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問(wèn)題不能得到解決.系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒(méi)有足夠的輸出波形振幅.

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希華晶振 GX-70502晶振兩腳陶瓷面貼片晶體

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