全球咨詢熱線
手機端
將Statek的CX-1V晶體(200-240kHz)與Microchip晶體的PIC16C73A一起使用,TC-32.768MBD-T,CX-1V晶體在200-240kHz頻率范圍內的典型運動電阻為3kW.在4-6伏的電源電壓下,電路應在0.5秒內開始振蕩,驅動電平(晶體電流)約為12mA(RMS),電路的有效負載電容約為4.5pF.
在將Statek的200-240kHz范圍內的CX-1V晶體與Microchip Technology的PIC16C73A微控制器（在XT模式下）一起使用時，我們建議使用組件值。Microchip Technology的數據表DS30390E的表14-2中推薦的大電容(47-68pF)會導致PIC16C73A來過載Statek晶振。
TC-13.513MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TC-13.513MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TA-4.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TA-4.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TA-4.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TB-20.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TB-20.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TB-20.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TB-16.384MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±25ppm
TB-16.384MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±25ppm
TB-16.384MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±25ppm
TD-57.849MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
57.849MHz
±25ppm
TD-57.849MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
57.849MHz
±25ppm
TD-57.849MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
57.849MHz
±25ppm
TA-12.352MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±25ppm
TA-12.352MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±25ppm
TA-12.352MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±25ppm
TA-25.000625MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
25.000625MHz
±25ppm
TA-25.000625MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
25.000625MHz
±25ppm
TA-25.000625MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
25.000625MHz
±25ppm
TC-18.432MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TC-18.432MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TC-18.432MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TC-32.350MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.35MHz
±25ppm
TC-32.350MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.35MHz
±25ppm
TC-32.350MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.35MHz
±25ppm
TD-13.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TD-13.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TD-13.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TD-13.513MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TD-13.513MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TD-13.513MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TA-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
TA-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
TA-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
推薦的外部添加元件值
除了晶體振蕩器的性能外，PIC16C73A的振蕩器部分最多需要三個組件。例如，從晶體焊盤到地的雜散電容會增加C1和C2提供的電容。此外，盡量減少OSC1和OSC2之間的雜散電容以及板上晶體安裝焊盤之間的雜散電容，因為這些可能會將增益要求提高到系統不會振蕩的程度。
TD-29.4912MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
29.4912MHz
±25ppm
TD-29.4912MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
29.4912MHz
±25ppm
TD-29.4912MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
29.4912MHz
±25ppm
TB-19.440MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TB-19.440MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TB-19.440MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TB-76.800MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-76.800MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-76.800MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TB-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TB-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TD-70.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TD-70.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TD-70.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TA-37.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
37.5MHz
±25ppm
TA-37.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
37.5MHz
±25ppm
TA-37.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
37.5MHz
±25ppm
TA-60.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TA-60.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TA-60.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TD-75.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TD-75.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TD-75.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TA-76.800MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TA-76.800MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TA-76.800MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-12.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TB-12.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TB-12.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TC-32.263MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.263MHz
±25ppm
TC-32.263MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.263MHz
±25ppm
TC-32.263MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.263MHz
±25ppm
TB-100.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
TB-100.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
運行條件
除上述建議外，我們建議讀者參閱Microchip Technology的數據手冊DS30390E，了解適當的工作條件。
TB-100.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
TD-54.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TD-54.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TD-54.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TB-62.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TB-62.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TB-62.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TC-14.7456MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±25ppm
TC-14.7456MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±25ppm
TC-14.7456MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±25ppm
TC-35.328MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
35.328MHz
±25ppm
TC-35.328MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
35.328MHz
±25ppm
TC-35.328MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
35.328MHz
±25ppm
TD-18.432MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TD-18.432MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TD-18.432MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TA-75.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TA-75.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TA-75.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TC-76.800MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TC-76.800MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TC-76.800MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TA-68.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TA-68.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TA-68.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
典型操作
CX-1V晶體在200-240kHz頻率范圍內的典型運動電阻為3kW。在4-6伏的電源電壓下，電路應在0.5秒內開始振蕩。驅動電平（晶體電流）約為12mA(RMS)，電路的有效負載電容約為4.5pF。
TB-32.768MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TB-32.768MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TB-32.768MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TB-15.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TB-15.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TB-15.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TD-12.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TD-12.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TD-12.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TD-15.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TD-15.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TD-15.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-48.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TA-48.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TA-48.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TA-10.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
10MHz
±25ppm
TA-10.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
10MHz
±25ppm
TA-10.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
10MHz
±25ppm
TB-12.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TB-12.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TB-12.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-16.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
16MHz
±25ppm
TA-16.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
16MHz
±25ppm
TA-16.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
16MHz
±25ppm
TA-49.152MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
CMOS Pierce振蕩器電路是眾所周知的，并因其出色的頻率穩定性和可使用的廣泛頻率范圍而被廣泛使用。它們非常適合小型、低電流和低電壓電池供電的便攜式產品，尤其是低頻應用。使用小型石英晶振進行設計時，必須仔細考慮頻率、增益和晶體驅動電平。在此論文中，典型晶體控制皮爾斯振蕩器電路設計中使用的設計方程來自閉環和相位分析。頻率、增益和晶體驅動電流方程是從這種方法推導出來的。
TA-49.152MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TA-49.152MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TB-24.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TB-24.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TB-24.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TD-68.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TD-68.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TD-68.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TA-44.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
44MHz
±25ppm
TA-44.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
44MHz
±25ppm
TA-44.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
44MHz
±25ppm
TB-19.200MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TB-19.200MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TB-19.200MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TC-48.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TC-48.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TC-48.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TB-80.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
80MHz
±25ppm
TB-80.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
80MHz
±25ppm
TB-80.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
80MHz
±25ppm
TC-30.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TC-30.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TC-30.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TB-6.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TB-6.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TB-6.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TC-19.440MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TC-19.440MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TC-19.440MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TC-54.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TC-54.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TC-54.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TD-65.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TD-65.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TD-65.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
基本的石英晶體CMOS Pierce振蕩器電路配置，晶體振蕩器電路由放大部分和反饋網絡組成。
a)環路增益必須等于或大于1，并且
TA-12.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-12.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-12.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TC-19.200MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TC-19.200MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TC-19.200MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TB-40.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TB-40.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TB-40.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TB-8.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
8MHz
±25ppm
TB-8.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
8MHz
±25ppm
TB-8.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
8MHz
±25ppm
TA-40.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TA-40.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TA-40.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TC-12.500MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TC-12.500MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TC-12.500MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-32.768MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TA-32.768MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TA-32.768MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TC-32.768MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TC-32.768MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TC-32.768MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TD-62.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
b)環路周圍的相移必須等于2π的整數倍。
CMOS反相器提供放大，兩個電容CD和CG以及晶體作為反饋網絡工作。RA穩定放大器的輸出電壓，用于降低晶體驅動電平。
TD-62.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TD-62.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TB-36.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
36MHz
±25ppm
TB-36.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
36MHz
±25ppm
TB-36.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
36MHz
±25ppm
TD-26.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
26MHz
±25ppm
TD-26.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
26MHz
±25ppm
TD-26.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
26MHz
±25ppm
TA-65.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TA-65.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TA-65.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TA-15.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-15.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-15.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-38.400MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
38.4MHz
±25ppm
TA-38.400MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
38.4MHz
±25ppm
TA-38.400MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
38.4MHz
±25ppm
TB-24.576MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TB-24.576MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TB-24.576MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TD-6.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TD-6.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TD-6.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TC-65.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TC-65.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
億金公眾號
億金微信號
