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NDK晶振,壓控晶體振蕩器,NV7050S晶振,6腳VCXO晶振

頻率：15M~2100MHZ

尺寸：5.0x7.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27876565

NDK-2 NDK晶振日本電波工業株式會社的發展歷史：

1948 年在東京都中央區日本橋設立南部商工株式會社生產銷售32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振等元器件.

1949 年開始晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的制造、銷售

1950 年 NDK晶振公司名變更為日本電波工業株式會社

總公司遷移登記至東京都涉谷區大山町

1954 年建設、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區代代木新町（現為涉谷區西原）

1959 年日本電波工業株式NDK晶振會社開始晶體濾波器,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的制造

1960 年開始晶體振蕩器,貼片晶振,聲表面濾波器,陶瓷霧化片,石英晶體諧振器,石英晶體的制造

1962 年日本電波工業株式NDK晶振會社著手在崎玉縣狹山市建立新工廠（現為狹山事業所）

1963 年在狹山事業所建成人工水晶工廠、開始人工水晶的制造

在狹山事業所建成水晶切斷工廠,在日本證券業協會進行店面登記

1964 年在狹山事業所建成組裝工廠

在大阪府大阪市設立大阪辦事處

1970 年在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會社（現為新瀉NDK）

1975 年日本電波工業株式NDK晶振會社在美國加利福尼亞州設立美國辦事處

1976 年在宮城縣古川市（現為大崎市）建立古川NDK株式會社

1979 年在馬來西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.生產銷售32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等

日本電波工業株式NDK晶振會社為取得更大發展而解散美國辦事處,設立NDK America, Inc.

1985 年日本電波工業株式會社NDK晶振在狹山事業所主樓竣工

1986 年在愛知縣岡崎市設立中部營業所

在馬來西亞建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.（現為 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.）

狹山事業所新館竣工

1988 年在新加坡設立NDK Electronics Singapore Pte. Ltd.（現為 NDK Crystal Asia Pte. Ltd.）

在英國設立NDK Europe Ltd.

1989 年北在北海道函館市建立函館NDK株式會社

1990 年在東京都新宿區西新宿設立總公司事務所在東京證券交易所市場第2部上市

1994 年在中國江蘇省建立蘇州日本電波工業有限公司,生產銷售石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等,在意大利設立NDK Italy Srl（現為 NDK Europe Ltd. Italy Office）NDK取得ISO9001認證

1995 年在香港成立日本電波工業（香港）有限公司

1998 年 NDK取得QS9000認證在東京證券交易所市場第1部上市

1999 年狹山事業所取得ISO14001認證

2001 年在德國設立NDK Europe Ltd. German Office

2002 年 NDK America, Inc. 的總公司辦公室搬至美國伊利諾斯州在美國伊利諾斯州成立NDK America, Inc. 在北海道函館市建立NRS Technologies Inc. 在中國上海設立日電波水晶（上海）貿易有限公司

2004 年在北海道千歲市成立千歲技術中心

2005 年函館NDK吸收合并NRS Technologies Inc. 總公司搬至東京都涉谷區笹冢

2008 年品質保證試驗室取得ISO/IEC 17025：2005的認證獲東京海關批準為特定出口商

2009 年狹山事務所內的新研發大樓"Laboratory ATOM"竣工在中國蘇州設立蘇州日電波貿易有限公司

2010 年 NDK石英晶振成為日本國內第一家遵循IFRS準則的企業

2014 年 NDK晶振集團取得ISO13485認證

2015 年日本電波工業株式會社NDK晶振總部遷到東京都澀谷區笹冢（和遷移前相同區域）

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NDK晶振,壓控晶體振蕩器,NV7050S晶振,6腳VCXO晶振,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態功能,應用：SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛

石英晶振的切割設計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內,由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導致產品在客戶端不能正常使用,晶振的研發及生產超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,公司在此方面通過理論與實踐相結合,模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果.

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NDK晶振型號		NV7050SA晶振
輸出頻率范圍		15~2100MHz
標準頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-更多詳細參數請聯系我們http://www.gslzqx.com/
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩定度	常溫偏差	±1.5×10-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃ ±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10-6 max.（VCC ±5%）
	負載變化特性	±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V ±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V@VCC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

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NDK電壓控制晶體振蕩器型號

NDK壓控晶振型號	尺寸大小 (mm)			頻率范圍 (MHz)		輸出規格	頻率偏差	電壓 (V)
NDK壓控晶振型號	L	W	H	Min.	Max.	輸出規格	[×10^-6]	[V_CC]
NV7050SF壓控晶振	7.0	5.0	1.6	1.25	62	CMOS	±50	+3.3
NV7050SF壓控晶振	7.0	5.0	1.6	122.88		CMOS	±50	+3.3
NV7050SA晶振	7.0	5.0	1.6	62	170	CMOS	±50	+3.3
NV7050SA(低相位噪聲)	7.0	5.0	1.6	100	200	LVPECL	±50	+3.3
NV7050SA晶振(高溫范圍）	7.0	5.0	1.6	122.88	122.88	LVPECL	±50	+3.3
NV7050SA壓控振蕩器	7.0	5.0	1.6	80	170	LVPECL	±50	+3.3

yijin-4 在使用NDK晶振時應注意

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振,通信應用壓控晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.

3：化學制劑 / pH值環境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.

4：粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.NDK晶振,壓控晶體振蕩器,NV7050S晶振,6腳VCXO晶振

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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email 郵箱:yijindz@163.com

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home 地址：廣東省深圳市寶安區107國道旁甲岸路

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NV7050S晶振 6腳帶電壓控制晶體振蕩器多種輸出有源晶振

跟此產品相關的產品 / Related Products

: NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SA晶振,進口有源壓控振蕩器; 貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

: EPSON晶振,石英晶體振蕩器,VG7050EAN晶振; 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.