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NDK晶振,壓控晶振,NV2520SA晶振

頻率：1.25M~80MHZ

尺寸：2.5x2.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27876565

日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售

經(jīng)營理念：

要認識到作為世界一流廠家的使命和責任,要始終在行業(yè)中起帶頭作用.

日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振搶先取得社會需求,為客戶提供高質(zhì)量的服務(wù)與晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振.

NDK晶振集團作為“地球內(nèi)企業(yè)”,在保護地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導作用.我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性,并致力于“CSR經(jīng)營”和“環(huán)境經(jīng)營”.為取得社會的信任,為推動環(huán)境負荷最小化,集團還開展了各種各樣的活動.

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NDK晶振,壓控晶振,NV2520SA晶振,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛

石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.

對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1）,會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計：石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準的要求.

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NDK晶振型號		NV2520SA晶振
輸出頻率范圍		1.25~80MHz
標準頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-更多詳細參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gslzqx.com/
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃ ±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10-6 max.（VCC ±5%）
	負載變化特性	±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V ±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V@VCC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

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NDK小型VCXO晶振型號

型名	尺寸大小 (mm)			額定頻率范圍 (MHz)		輸出規(guī)格	頻率允許偏差	電源電壓(V)	工作溫度范圍(℃)		消耗電流(mA)
型名	L	W	H	Min.	Max.	輸出規(guī)格	[×10-6]	[VCC]	Min.	Max.	Max.
NV2520SA晶振	2.5	2.0	0.9	1.25	80	CMOS	±50	+3.3	-40	+85	11
NV3225SA晶振	3.2	2.5	0.9	1.25	80	CMOS	±50	+3.3	-40	+85	11

yijin-4 在使用NDK晶振時應(yīng)注意

表面貼裝晶體振蕩器的安裝

（1）振蕩器振動后溫度快速變化

安裝在板上當安裝板的材料時,用于表面安裝陶瓷晶體振蕩器封裝,有膨脹系數(shù)不同于膨脹系數(shù)陶瓷,焊接的圓角部分可能會裂開環(huán)境重復和極端溫度變化會在很長一段時間內(nèi)發(fā)生.在這種情況下,建議事先檢查情況.NDK晶振,壓控晶振,NV2520SA晶振

（2）自動安裝引起的沖擊

當晶體振蕩器,耐高溫晶振被吸附或吸附時自動安裝或超過規(guī)定的沖擊安裝在電路板上時給出的值,這會導致其特性發(fā)生變化或惡化.

（3）板彎曲應(yīng)力

如果在焊接晶體單元后PC板彎曲對于PC板,機械應(yīng)力可能會導致焊接部分剝落或晶體單元封裝裂紋.

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NV2520SA晶振固定通信壓控晶振超小型VCXO晶振

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