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精工晶振,圓柱晶振,VT-120-F晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：4.7*1.2mm

工作溫度:-20℃~+60℃

保存溫度:-30℃~+70℃

負載電容:12.5pF

小型插件石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體諧振器,在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性.

訂購熱線：0755-27876565

SEIKO-1 SEIKO生產的石英晶振型號并不是很多，但是質量絕對可以和日產任何一個大品牌“媲美”。SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫，也成為SII。SII擁有世界上頂端的機械技術。除了是世界上著名的石英手表廠商，同時也生產電腦打印機。做電子元器件，在石英振子這一方面，SII也是做的非常之出色的,目前，能夠與日本精工晶振全球同等級競爭的，只有日本大真空KDS。
誕生于石英表研發的32.768K晶振,石英晶體,貼片晶振等電子零件被廣泛應用于智能手機、數碼家電、汽車和產業用設備等各種領域。半導體與石英晶振具有小型、低電壓驅動、耗電低、高精度的特點，能夠為設備的小型化、高性能、驅動時間的延長等做出貢獻。4.7*1.2插件晶振,DIP型圓柱石英晶體,VT-120-F晶振
石英晶振事業部的所有石英晶振, 32.768K鐘表晶振, 石英晶體諧振器,石英晶振均通過了SII綠化商品的認證.制定環境目標，有計劃地確認實行結果，進而得到持續的改善。遵守日本國內和世界各國的環境相關法規、條例以及業界的工作事項，致力于預防環境污染。

精工晶振,圓柱晶振,VT-120-F晶振.晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.

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精工晶振	單位	VT-120-F晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-30°C ～ +70°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +60°C	標準溫度
激勵功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.gslzqx.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	6pF~12.5pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。4.7*1.2插件晶振,DIP型圓柱石英晶體,VT-120-F晶振
使用環境（溫度和濕度）
請在規定的溫度范圍內使用VT-120-F晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致32.768K插件晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率（請參閱“激勵功率”章節內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節內容）。精工晶振,圓柱晶振,VT-120-F晶振
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用VT-120-F石英晶振之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）。

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4.7*1.2插件晶振 DIP型圓柱石英晶體 VT-120-F晶振

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美國進口FMI石英晶體中的FMXMC12S系列的頻率是32.768KHz，負載電容為9.0 pF或12.5 pF，頻率公差是±20ppm或±50ppm@ 25°C，工作溫度范圍為-40~85度，尺寸是2.0 x 1.2 mm，為2012貼片晶振，進口無源晶振，32.768K時鐘晶振。2012 石英晶振可以說是一款超小型的貼片式石英晶體諧振器,2012 晶振的頻率均是電子產品不可缺少的 32.768K 時鐘晶振,FMXMC12S此款貼片晶振體積小型, 焊接可采用自動貼片焊接系統,滿足無鉛高溫回流焊接曲線,可使用在小型高端的智能電子產品領域.

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