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壓控溫補(bǔ)晶振,1XXA10000MBA,進(jìn)口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振

頻率:10.000MHz

尺寸:2.5*2.0*0.8mm

壓控溫補(bǔ)晶振,1XXA10000MBA,進(jìn)口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振  日本大真空晶振的DSA221SDN具有高穩(wěn)定的頻率溫度特性,為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品,(可對(duì)應(yīng)DC +1.8V /+2.6V /+2.8V /+3.0V /+3.3V)高度:最高0.9 mm,超小型,輕型。低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品。(可對(duì)應(yīng)回流焊) 無(wú)鉛產(chǎn)品。滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求。其編碼為1XXA10000MBA的晶振,頻率是10MHz,為VC-TCXO晶振,也叫壓控溫補(bǔ)晶振,是進(jìn)口石英晶體振蕩器,2520尺寸,為2520貼片晶振。VC-TCXO應(yīng)用:智能手機(jī)晶體,無(wú)線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用等。
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壓控溫補(bǔ)晶振,1XXA10000MBA,進(jìn)口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振

日本大真空晶振的DSA221SDN具有高穩(wěn)定的頻率溫度特性,為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品,(可對(duì)應(yīng)DC +1.8V /+2.6V /+2.8V /+3.0V /+3.3V)高度:最高0.9 mm,超小型,輕型。低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品。(可對(duì)應(yīng)回流焊) 無(wú)鉛產(chǎn)品。滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求。其編碼為1XXA10000MBA的晶振,頻率是10MHz,為VC-TCXO晶振,也叫壓控溫補(bǔ)晶振,是進(jìn)口石英晶體振蕩器,2520尺寸,為2520貼片晶振。VC-TCXO應(yīng)用:智能手機(jī)晶體,無(wú)線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用等。

日本株式會(huì)社大真空KDS晶振集團(tuán)設(shè)立在日本國(guó)兵庫(kù)縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時(shí)間為1959年11月3日,正式注冊(cè)成立是在1963年5月8日,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時(shí)鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.

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壓控溫補(bǔ)晶振,1XXA10000MBA,進(jìn)口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振

類型 DSA221SDN (VC-TCXO)
頻率范圍 9.6?52MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率 19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍 +1.68?+3.5V
電源電壓(Vcc) +1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流 +1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)
輸出電壓 0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled)
輸出負(fù)載 10kΩ//10pF
常溫偏差 ±1.5×10-6 max.(After 2 reflows)
溫度特性

±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃

±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃ (Option)

包裝單位 3000pcs./reel(φ180)


DSA1612SDN DSA211SDN DSA221SDN DSA321SDN DSB1612SDN DSB211SDN DSB221SDN DSB321SDN

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DSA221SDN


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壓控溫補(bǔ)晶振,1XXA10000MBA,進(jìn)口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.

3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

4:粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

5:鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.

6:靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

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UJ2600007Z是一款臺(tái)產(chǎn)的DIODES晶振,專為智能手機(jī)量身打造,屬于UJ晶體系列。作為低相位抖動(dòng)的削峰正弦波晶振,它為智能手機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào),是保障手機(jī)各項(xiàng)功能高效運(yùn)作的關(guān)鍵元件。這款晶振采用先進(jìn)的制造工藝,選用高品質(zhì)材料,確保在 - 20℃至 + 70℃的工作溫度范圍內(nèi),能將相位抖動(dòng)控制在極低水平,展現(xiàn)出卓越的頻率穩(wěn)定性。其削峰正弦波輸出特性,不僅降低了諧波干擾,還優(yōu)化了信號(hào)質(zhì)量,為手機(jī)的射頻模塊、處理器及其他關(guān)鍵組件提供純凈、穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)。在智能手機(jī)中,無(wú)論是高速的數(shù)據(jù)傳輸、流暢的多媒體播放,還是精準(zhǔn)的定位導(dǎo)航,UJ2600007Z都憑借其穩(wěn)定的性能,確保各個(gè)功能模塊之間的精確協(xié)同工作,提升用戶體驗(yàn)。
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LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器   LV3344JEV-100.0MDK 是 Pletronics 推出的 LVDS 差分貼片晶振,主要用于以太網(wǎng)應(yīng)用。它能輸出精準(zhǔn)的 100.0MHz 頻率,為以太網(wǎng)設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)。LVDS 差分信號(hào)傳輸方式使其具備出色的抗干擾能力,可有效抑制共模干擾,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。貼片封裝便于安裝和集成。廣泛應(yīng)用于以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,有助于提升網(wǎng)絡(luò)通信的性能和可靠性,是以太網(wǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)高速穩(wěn)定通信的理想選擇。
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