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IDT晶振,差分晶振,XUO晶振

頻率：0.016MHz~670MHz

尺寸：5.0x3.2mm

差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動(dòng),低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

IDT-2

Integrated Device Technology, Inc.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)IDT晶振集團(tuán)）,成立于1980年公司發(fā)展在各地均設(shè)有分公司,全球人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市主要開(kāi)發(fā)優(yōu)化客戶(hù)應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)解決方案.

IDT晶振集團(tuán) 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程振蕩器,能滿(mǎn)足幾乎任何應(yīng)用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產(chǎn)品系列是高性能、低抖動(dòng)時(shí)鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動(dòng),并可提供多種頻率、性能級(jí)別、輸出類(lèi)型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級(jí). 對(duì)于尋求在標(biāo)準(zhǔn)振蕩器封裝中提供高性能和無(wú)可比擬的靈活性的時(shí)鐘源的高級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.

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IDT晶振,差分晶振,XUO晶振,差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動(dòng)差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點(diǎn), 差分晶振的頻率相對(duì)都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱(chēng)為“低抖動(dòng)振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲(chǔ)存溫度非常寬,客戶(hù)實(shí)驗(yàn)證明工作溫度可以到達(dá)低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動(dòng)晶振能達(dá)到1V,起振時(shí)間為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.

石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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IDT晶振型號(hào)	符號(hào)	XUO晶振(5032)
輸出規(guī)格	-	HCSL
輸出頻率范圍	fo	0.016~670MHz
電源電壓	VCC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10-6 max., ±100×10-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40～+85℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10～+70℃ ,-40～+85℃
消耗電流	ICC	30mA max. (fo≦170MHz),
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	50Ω
波形對(duì)稱(chēng)	SYM	45?55% [at outputs cross point]
0電平電壓	VOL	-0.15～0.15V
1電平電壓	VOH	0.58～0.85V
上升時(shí)間下降時(shí)間	tr, tf	0.5ns max. [0.175～0.525V Level]
差分輸出電壓	⊿VOD1, VOD2	-更多相關(guān)信息資料請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gslzqx.com
差分輸出誤差	⊿VOD	-
補(bǔ)償電壓	VOS	-
補(bǔ)償電壓誤差	⊿VOS	-
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	250～550mV
OE端子0電平輸入電壓	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	VIH	VCC×0.7 min.
輸出禁用時(shí)間	tPLZ	200ns
輸出使能時(shí)間	tPZL	2ms
周期抖動(dòng)（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動(dòng)（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動(dòng)（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]
相位抖動(dòng)	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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XUO 5032

yijin-4 在使用IDT晶振時(shí)應(yīng)該注意以下事項(xiàng)：

晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時(shí)注意事項(xiàng)

耐焊性：

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.IDT晶振,差分晶振,XUO晶振

（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品

晶振產(chǎn)品類(lèi)型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號(hào)晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C

(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖

用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷.請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.

盡可能使溫度變化曲線保持平滑：

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

mphone 聯(lián)系人黃娜：18924600166

工作QQ:857950243

myt 貿(mào)易通：yijindz2014

tel 座機(jī)：0755-27876565

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XUO晶振 5.0x3.2mm有源晶振 IDT晶振差分晶體振蕩器

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: EPSON晶振,差分晶振,SG5032EAN晶振; 差分晶振的使用特點(diǎn)在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點(diǎn).特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱(chēng)為“低抖動(dòng)振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲(chǔ)存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時(shí)間超快為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見(jiàn)的,相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.