圓柱晶振,石英晶體,3x8兆赫茲晶振
頻率:6M~70MHZ
尺寸:3.0x8.0mm
億金生產(chǎn)的圓柱晶振具有以下幾種規(guī)格,3*8,2*6,3*9我公司所有材料均是來自日本進(jìn)口,封裝測試設(shè)備采用日本精工儀器設(shè)備,并且從日本聘請高級(jí)技術(shù)工程師,我司所生產(chǎn)的音叉晶體具有一致性良好,頻率穩(wěn)定度高,耐抗震強(qiáng),每批次出廠均采用24小時(shí)老化測試,產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差.
深圳市寶安億金電子是一家專業(yè)生產(chǎn)晶振的大型廠家,工廠生產(chǎn)的石英晶體振動(dòng)子國內(nèi)外均有銷售為了各大客戶能更準(zhǔn)確找到適合的產(chǎn)品,億金公司成功建立屬于自己的官方網(wǎng)站為各戶提供一站式服務(wù),不僅有產(chǎn)品圖還有詳細(xì)規(guī)格書下載,還提供產(chǎn)品的正確使用方法和到問題解決為客戶省時(shí)省心又省力,選擇億金是您最忠實(shí)的合作伙伴.下面介紹關(guān)于晶振的產(chǎn)品性能,49/S,49/U,49/SSMD,6035mm,5032mm,3225晶振,圓柱晶振系列.
應(yīng)頻率從3,579545MHZ----75MHZ,其中基頻AT切范圍從3,579545MHZ----27MHZ;
基頻BT切范圍從24MHZ----40MHZ:頻率頻差范圍:+/-5PPM--+/-50PPM
負(fù)載電容:12---50PF或串聯(lián);激勵(lì)功率:0,1--2M;溫度范圍:-20-----70;電阻:30OHM.
圓柱晶振,石英晶體,3x8兆赫茲晶振,億金生產(chǎn)的圓柱晶振具有以下幾種規(guī)格,3*8,2*6,3*9我公司所有材料均是來自日本進(jìn)口,封裝測試設(shè)備采用日本精工儀器設(shè)備,并且從日本聘請高級(jí)技術(shù)工程師,我司所生產(chǎn)的音叉晶體具有一致性良好,頻率穩(wěn)定度高,耐抗震強(qiáng),每批次出廠均采用24小時(shí)老化測試,產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一.我公司億金電子具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定.
億金晶振規(guī)格 |
單位 |
晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
6M~70MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-20°C ~ +70°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用億金晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
(1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
晶振產(chǎn)品類型 |
晶振焊接條件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下 |
手工焊接+300°C或低于3秒鐘 |
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號(hào)晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230° |
+260°C或低于@最大值 10 s |
(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷.請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.圓柱晶振,石英晶體,3x8兆赫茲晶振
盡可能使溫度變化曲線保持平滑:
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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插件圓柱晶振系列為滿足市場不同產(chǎn)品對精度的要求,通常情況下分為±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客戶也可以分為在精度上分為正偏差以及負(fù)偏差.音叉型表晶在產(chǎn)品中使用溫度范圍可以達(dá)到—40°到+85°的寬溫要求.插件圓柱晶振系列主要使用于較為高端大氣上檔次的汽車電子、智能家用電器、筆記本、插卡音響、智能手表、以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品中.
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晶振系列
日本進(jìn)口晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 村田晶振
- 大河晶振
- KDS Quartz crystal
- NDK Quartz crystal
- EPSON Quartz crystal
- 富士晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
臺(tái)產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
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- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- 福克斯晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- KVG晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國三呢晶振
- ITTI晶振
- ACT晶振
- Milliren晶振
- Lihom晶振
- rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- PDI晶振
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- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振
有源晶振
霧化片
貼片晶振
32.768K
- 32.768K有源晶振
- 8.0x3.8晶振
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聲表面濾波器
石英晶振
KDS晶振
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- EPSON普通有源晶振
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