希華晶振晶體科技有限公司成立于1988年,希華正式成立, 資本額為1,500萬元整,開始以普通石英頻率控制元件之研發、設計、生產與銷售.從人工晶棒長成到最終產品,透過最佳團隊組合及先進之生產技術,建立完整的產品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產品等,以健全的供應煉系統,為客戶提供全方位的服務.
在十年的時間里希華晶體科技刻苦專研,開發大量新產品,正式從原始普通晶振,石英晶體諧振器,慢慢的步入SMD晶體,有源貼片晶振領域,并且成功在1998年回到祖國的懷抱,到了沒了的中國廣東省東莞市投資建廠, 主要生產SMD晶振系列,剛開始以有源5070mm石英晶體振蕩器為主.后在慢慢的開始量產常規石英晶體諧振器,后以小尺寸3225mm,2520mm尺寸為主.
希華晶體產品應用范圍包含行動電話、平板電腦、衛星通訊、車載系統、全球定位系統、個人電腦、無線通信及家用產品等,扮演基本信號源產生、傳遞、濾波等功能.持續致力于技術研究開發及品質落實扎根,營運據點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務予世界電子大廠.
SIWARD晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,LP-3.5晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.
希華晶振規格 |
單位 |
LP-2.5晶振,LP-3.5晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
3.5MHZ~80MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
10PF,12PF,16PF |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |

在使用希華晶振時應注意以下事項
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.SIWARD晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,LP-3.5晶振
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.