Abracon llc晶振成立于1992年8月5日,其愿景是成為全球頂級(jí)制造商,并擁有非并行應(yīng)用工程和銷(xiāo)售支持.為了實(shí)現(xiàn)這一愿景,Abracon獲得了iso9001 - 2008質(zhì)量認(rèn)證,在北美和海外的生產(chǎn)設(shè)施和技術(shù)合作伙伴中選擇了股權(quán)投資,建立了與即將到來(lái)的技術(shù)公司的渠道伙伴關(guān)系,并在其加州的位置設(shè)立了一個(gè)國(guó)家的藝術(shù)工程實(shí)驗(yàn)室.
2013年11月,Abracon llc晶振集團(tuán)在德克薩斯州奧斯汀建立了一個(gè)新的中西部訂單執(zhí)行中心.這種擴(kuò)張是必要的,因?yàn)?/span>Abracon晶振的快速增長(zhǎng)和更好的服務(wù)于我們的東海岸和歐洲的客戶.
Abracon llc晶振集團(tuán)供應(yīng)石英晶體,貼片晶振,有源晶振,壓電晶振,石英晶體振蕩器等.廣泛用于與商業(yè)、工業(yè)、消費(fèi)者和選擇的軍事應(yīng)用等.
Abracon llc晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來(lái)解決石英晶振,有源晶振, 壓電石英晶體, 石英水晶振蕩子對(duì)環(huán)境影響
開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售擁有最有利的環(huán)境特性同時(shí)又滿足最高可能功效標(biāo)準(zhǔn)的晶振,石英晶振,有源晶振等壓電石英晶體器件.
Abracon llc晶振集團(tuán)采用對(duì)環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝,在壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)開(kāi)發(fā)和制造過(guò)程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料,為開(kāi)發(fā)高效的、對(duì)環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作.
Abracon晶振,32.768K晶振,AB26T晶振,AB26T-32.768KHZ晶振,32.768K石英晶體頻率穩(wěn)定性強(qiáng),在各種產(chǎn)品中面對(duì)不同環(huán)境其晶振都能夠保持在10PPM高精度.具有極強(qiáng)的抗震性能,在常規(guī)的摔落以及物流運(yùn)輸過(guò)程中都不會(huì)受到影響,每一批生產(chǎn)的晶振在出廠時(shí)都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的檢驗(yàn),采用24小時(shí)老化測(cè)試為質(zhì)量嚴(yán)格把關(guān).
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題,公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.
Abracon晶振規(guī)格 |
單位 |
AB26T晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用Abracon晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
插件型晶振安裝注意事項(xiàng):
安裝時(shí)的注意事項(xiàng)導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).
• 修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),以及要取出晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳,如果強(qiáng)制地拔出導(dǎo)腳,會(huì)引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進(jìn)行修改(參閱圖 4).Abracon晶振,32.768K晶振,AB26T晶振,AB26T-32.768KHZ晶振
彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時(shí),導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲,有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時(shí),務(wù)必請(qǐng)留出大于外殼直徑長(zhǎng)度的空閑部分 (參閱圖7).
如果直接在外殼部位焊接,會(huì)導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應(yīng)注意將晶振平放時(shí),不要使之與導(dǎo)腳相碰撞,請(qǐng)放長(zhǎng)從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長(zhǎng)度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長(zhǎng)度(D).
焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳離開(kāi)玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請(qǐng)不要對(duì)外殼進(jìn)行焊接.另外,如果利用高溫或長(zhǎng)時(shí)間對(duì)導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱,會(huì)導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請(qǐng)注意對(duì)導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時(shí)間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).