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自1980年ECS Inc.晶振集團成立以來,在國際范圍內進行了近35年的業務,自成立以來已超過30億的頻率控制組件,致力于為世界提供最先進的創新頻率控制技術.ECS公司堅持以創新為中心的企業文化,旨在促進和發展每一個無價值的伙伴關系的創造力,使我們能夠最大限度地滿足不斷變化的全球電子市場的需求.

ECS Inc.晶振集團成為市場領導者提供創新、先進的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率控制組件解決方案到電信、工業、公用事業、導航、汽車、電子、航空航天和醫療與一流的制造行業的基于石英晶體/過濾器,時鐘振蕩器、陶瓷諧振器/過濾器和其他基于壓電的產品.ECS inc .以迅速擴大的市場部門的多元化產品基礎,熱情關注客戶和市場趨勢,調動企業的力量,為世界各地的客戶提供一貫的卓越服務.

ECS晶振集團擁有頂尖人才和技術,以及創新的產品開發理念,使其能夠解決復雜的客戶問題.石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓電水晶的批量生產在日本、中國、臺灣和韓國的世界級認證的制造設施.內部檢測和測試確保所有產品達到或超過ECS公司的質量保證標準.這些制造地點擁有最嚴格的質量管理認證,開始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ產品的國際組織.

ECS Inc國際晶振集團符合世界各地對于石英晶體,貼片晶振,有源晶振,晶體振蕩器等產品要求的所有標準.質量符合國際標準體現了在商業實踐和產品方面的卓越品質.ECS Inc晶振不僅要讓客戶滿意并且要超越客戶所期望的.激勵鼓勵全體員工通過激發創造力、主動性和責任感來促進大家做更有意義的事.通過持續改進集成業務流程,以實現系統的有效性、效率和靈活性.

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ECS晶振,石英晶體,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環境條件下,晶振也能正常工作,具有穩定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

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ECSInc晶振規格	單位	HC-49USX晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	3.57954MHZ~70MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +70°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標準), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.gslzqx.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C —+85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

ECSInc晶振規格	單位	HC-46X晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	6MHZ~40MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標準), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.gslzqx.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

ECSInc晶振規格	單位	HC-49USSX晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	3.57954MHZ~50MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +70°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標準), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.gslzqx.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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HC-49USX晶振晶振尺寸圖：

hc-49usx 11.35_4.65

HC-46X晶振晶振尺寸圖：

HC-49USSX晶振尺寸圖：

HC-49USS 10.5_5.0

yijin-4 在使用ECS晶振時應注意以下事項:

以下是石英晶振電路設計匹配問題：

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

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線路連接的電阻（R）與晶體串聯
（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果石英晶振,石英晶體的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.ECS晶振,石英晶體,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振