ECS Inc.晶振集團與世界各地的組織合作,幾乎每一個行業,以及每一個規模,從初創企業到全球財富500強組織.所使用到的晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,有源晶振壓控晶振等元件遍布各行各業.
自1980年ECS Inc.晶振集團成立以來,在國際范圍內進行了近35年的業務,自成立以來已超過30億的頻率控制組件,致力于為世界提供最先進的創新頻率控制技術.ECS公司堅持以創新為中心的企業文化,旨在促進和發展每一個無價值的伙伴關系的創造力,使我們能夠最大限度地滿足不斷變化的全球電子市場的需求.
ECS晶振,貼片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.
對于圓片晶振,X、Z 軸較難區分,所以石英晶振對精度要求高的產品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產品的溫度特性.石英晶振產品電極的設計:石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設計很關鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大,故對電極的設計提出了更精準的要求.
ECSInc晶振規格 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
||
標準頻率 |
f_nom |
8M~36MHZ |
標準頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-55°C~+125°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
|
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
|
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用ECS晶振時應注意以下事項:
產品設計人員在設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力(P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,ECS晶振,石英晶振,CSM-8M晶振,ECS-120-20-20BM-TR晶振
Re表示石英晶振的有效電阻,而且Re=R1(1+Co/CL)2.
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩.為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻.ECS晶振,貼片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振
3.負載電容
如果振蕩電路中晶振的負載電容不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式CL≒CG × CD /(CG+CD)+ CS.
其中CS表示電路的雜散電容.