圓柱晶振,石英晶體,3x8兆赫茲晶振

產品簡介

億金生產的圓柱晶振具有以下幾種規格,3*8,2*6,3*9我公司所有材料均是來自日本進口,封裝測試設備采用日本精工儀器設備,并且從日本聘請高級技術工程師,我司所生產的音叉晶體具有一致性良好,頻率穩定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差.

產品詳情

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深圳市寶安億金電子是一家專業生產晶振的大型廠家,工廠生產的石英晶體振動子國內外均有銷售為了各大客戶能更準確找到適合的產品,億金公司成功建立屬于自己的官方網站為各戶提供一站式服務,不僅有產品圖還有詳細規格書下載,還提供產品的正確使用方法和到問題解決為客戶省時省心又省力,選擇億金是您最忠實的合作伙伴.下面介紹關于晶振的產品性能,49/S,49/U,49/SSMD,6035mm,5032mm,3225晶振,圓柱晶振系列.
應頻率從3,579545MHZ----75MHZ,其中基頻AT切范圍從3,579545MHZ----27MHZ；
基頻BT切范圍從24MHZ----40MHZ:頻率頻差范圍:+/-5PPM--+/-50PPM
負載電容:12---50PF或串聯；激勵功率:0,1--2M；溫度范圍:-20-----70；電阻:30OHM.

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圓柱晶振,石英晶體,3x8兆赫茲晶振,億金生產的圓柱晶振具有以下幾種規格,3*8,2*6,3*9我公司所有材料均是來自日本進口,封裝測試設備采用日本精工儀器設備,并且從日本聘請高級技術工程師,我司所生產的音叉晶體具有一致性良好,頻率穩定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差.

超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術：是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發及生產必須解決的技術問題,為壓電石英晶振行業的技術難題之一.我公司億金電子具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩定.

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億金晶振規格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	6M~70MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-20°C ～ +70°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +60°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標準), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.gslzqx.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	7pF ～ ∞	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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在使用億金晶振時應注意以下事項:

晶體產品線路焊接安裝時注意事項

耐焊性：

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.

（1）柱面式產品和DIP產品

晶振產品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C