IDT晶振集團 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程振蕩器,能滿足幾乎任何應用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產品系列是高性能、低抖動時鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動,并可提供多種頻率、性能級別、輸出類型、穩定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級. 對于尋求在標準振蕩器封裝中提供高性能和無可比擬的靈活性的時鐘源的高級系統設計者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.
IDT晶振集團在RF、高性能定時、存儲接口、實時互聯、光互聯、無線電源及智能傳感器方面的市場導向型產品,是該公司一系列廣泛的通信、計算、消費、汽車和工業領域混合信號完整解決方案的一部分.IDT的設計、生產、銷售場所和經銷合作伙伴遍及全世界,主要生產晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,(PXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.
IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振,差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網絡路由器、SATA,光纖通信,10G以太網、超速光纖收發器、網絡交換機等網絡通訊設備中.網絡設備對高標準參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統性能重要參數的相位抖動具備低抖動特征.使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶體振蕩器滿足市場需求,實現高頻高精度等要求,更加保障了各種系統參考時鐘的可靠性.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.
IDT晶振型號 |
符號 |
XU-XL晶振(5032,7050) |
輸出規格 |
- |
LVDS, LVPECL, HCSL,HCMOS |
輸出頻率范圍 |
fo |
16KHZ~1500MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40~+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
30mA max. (fo≦170MHz), |
待機時電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負載 |
Load-R |
50Ω |
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-0.15~0.15V |
1電平電壓 |
VOH |
0.58~0.85V |
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.5ns max. [0.175?0.525V Level] |
差分輸出電壓 |
⊿VOD1, VOD2 |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
補償電壓 |
VOS |
- |
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
交叉點電壓 |
Vcr |
250?550mV |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用IDT晶振時應該注意以下事項:
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.