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微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產品.而今,微晶已經發展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個領域的領導供貨商,為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持,服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業控制、植入式醫療及其他高可靠性產品.

微晶晶振在瑞士、泰國建有石英晶振,晶體振蕩器生產中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的產品都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規范的要求.全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石.我們對管理、環境、社會責任都有明確的行為準則（比如對有爭議的原材料的問題上）,這些是我們在未來保持競爭優勢的主要原因.

微晶晶振環保基本理念：

1.作為良好的企業市民,遵循本公司的行動方針,充分關心維護地球環境.遵守國內外的有關環保法規.

2.保護自然環境,充分關注自然生態等方面的環境保護,維持和保全生物多樣性.

3.有效利用石英晶體,貼片晶振材料資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行石英晶振,有源晶體振蕩器,水晶振蕩子等原材料的有效利用.

4為構建循環型社會做出貢獻,致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環,努力構建循環型社會.

5.推進晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環保型業務,充分發揮綜合實力,推進環保型業務,為減輕社會的環境負荷做出貢獻.

6.建立環境管理系統,充分運用環境管理系統,設定環境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預防環境污染.

瑞士微晶晶振按照IS014001標準的要求,建立環境管理體系,并在環境目標和方案設定之后追求持續的環境改善.

微晶晶振建立和遵守其嚴格的基于活動所在地法律法規的環境、安全和健康標準.將不斷地擴展循環利用、能源和廢棄物管理項目.

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微晶晶振,32.768K晶振,MS3V-T1R晶振,32.768K石英晶體頻率穩定性強,在各種產品中面對不同環境其晶振都能夠保持在10PPM高精度.具有極強的抗震性能,在常規的摔落以及物流運輸過程中都不會受到影響.每一批生產的晶振在出廠時都會經過嚴格的檢驗,采用24小時老化測試為質量嚴格把關.

石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.

對于圓片晶振,X、Z 軸較難區分,所以石英晶振對精度要求高的產品（如部分定單的 UM-1）,會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產品的溫度特性.石英晶振產品電極的設計：石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設計很關鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大,故對電極的設計提出了更精準的要求.

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微晶晶振規格	單位	MS3V-T1R晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標準), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.gslzqx.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5pF ～ ∞	超出標準說明,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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yijin-4 使用微晶晶振時應注意以下事項

插件型晶振安裝注意事項：

安裝時的注意事項導腳型晶振• 構造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).

• 修改插件晶振彎曲導腳的方法(1) 要修改彎曲的導腳時,以及要取出晶振等情況下不能強制拔出導腳,如果強制地拔出導腳,會引起玻璃的破裂,而導致殼內真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導腳時,要壓住外殼基側的導腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進行修改(參閱圖 4).微晶晶振,32.768K晶振,MS3V-T1R晶振

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彎曲導腳的方法(1) 將導腳彎曲之后并進行焊接時,導腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導腳的直線部位而將導腳彎曲,有可能導致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導腳焊接完畢之后再將導腳彎曲時,務必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).

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如果直接在外殼部位焊接,會導致殼內真空濃度的下降,會使圓柱晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應注意將晶振平放時,不要使之與導腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).

焊接方法焊接部位僅局限于導腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進行焊接.另外,如果利用高溫或長時間對導腳部位進行加熱,會導致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請注意對導腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時間要控制在5秒以內 (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).