1979年,在美國華盛頓州成立了Pletronics公司,主營石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓控振蕩器,(PXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器等.
1981年Pletronics晶振公司在韓國建立了一家獨資工廠
1997年通過BSI實現了ISO 9001:1994,符合歐盟環保要求.
2000年賣掉了韓國工廠.轉移到合同制造(鑄造廠)
2001年在華盛頓制造的PECL和LVDS振蕩器,使用FR4 PCB上的離散組件
2002年通過BSI實現了ISO 9001:2000,符合歐盟環保要求,開發出高頻基本晶體
2003年Pletronics晶振公司在韓國和中國合資經營
2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECL和LVDS振蕩器,具有低抖動,低電源電壓,低功耗等特點.
2005年第一個合成的PECL和LVDS振蕩器106.25MHz和212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩定性能,低功耗低抖動等特點.適用于高端精密設備中,比如高速光纖網絡,北斗衛星等.
2006年介紹了我們的LVDS系列石英晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振.
2007年合成振蕩器的合資企業建立
2008年為新興技術發布了重要的新產品,如超精密有源晶振,低損耗晶體振蕩器等.
2009年發展過程和精密TCXO溫補晶振,溫補晶體振蕩器的初步試生產
2010年引入OeXo®系列OCXO恒溫晶體振蕩器替代技術
2011年開發了LC振蕩器技術,投入到各種高端智能設備,GPS衛星導航,無線電基站,北斗衛星導航等領域應用.
2013年引入GypSync®TCXO模塊
2014年引進100fs超低抖動的PECL / LVDS / HCSL J系列晶體振蕩器,北斗導航溫補晶振,北斗GPS模塊晶體振蕩器
2015年推出了OeM8增強TCVCXO壓控溫補晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶振.
2016年引進了50fS超低抖動的PECL / LVDS K系列振蕩器,石英晶體振蕩器,貼片晶振, (TCXO)溫補晶體振蕩器,壓控晶體振蕩器(VCXO).
Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振,差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.
晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.
Pletronics晶振型號 |
符號 |
|
輸出規格 |
- |
LVDS |
輸出頻率范圍 |
fo |
10.9~670MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40?+85℃ |
運行溫度范圍 |
T_use |
-10?+70℃,-40?+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機時電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對稱 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-更所晶振參數請聯系我們http://www.gslzqx.com |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補償電壓 |
VOS |
1.125?1.375V |
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
符號 |
LV97晶振 |
|
輸出規格 |
- |
LVDS |
輸出頻率范圍 |
fo |
10.9~670MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40?+85℃ |
運行溫度范圍 |
T_use |
-10?+70℃,-40?+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機時電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對稱 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-更多晶振參數請聯系我們http://www.gslzqx.com |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補償電壓 |
VOS |
1.125?1.375V |
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用Pletronics晶振時應注意以下事項:
晶體產品線路焊接安裝時注意事項
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
(1)柱面式產品和DIP產品
晶振產品類型 |
晶振焊接條件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下 |
手工焊接+300°C或低于3秒鐘 |
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230° |
+260°C或低于@最大值10 s |
(2)SMD產品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷.請聯系我們以便獲取相關信息.Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振
盡可能使溫度變化曲線保持平滑: