日本株式會(huì)社大真空KDS晶振集團(tuán)設(shè)立在日本國(guó)兵庫(kù)縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時(shí)間為1959年11月3日,正式注冊(cè)成立是在1963年5月8日,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷(xiāo)售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,石英晶體振蕩器,石英晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時(shí)鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.
日本株式會(huì)社大真空KDS晶振自1959年建立以來(lái)一直遵從的三個(gè)理念“依賴(lài)”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便人們更舒適,通過(guò)開(kāi)發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對(duì)全球環(huán)境友好.
日本株式會(huì)社KDS晶振不斷努力為我們的客戶(hù)在日本國(guó)內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿(mǎn)意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國(guó)、英國(guó)、德國(guó),到中國(guó),新加坡,泰國(guó)和其他亞洲國(guó)家.以“依賴(lài)”為公司方針,以客戶(hù)為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營(yíng)管理,努力創(chuàng)造利潤(rùn),履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任.
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開(kāi)發(fā)區(qū)確定投資建廠(chǎng),品牌是簡(jiǎn)稱(chēng)(KDS)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬(wàn)美元,占地面積67.5畝.
日本大真空株式會(huì)社,KDS晶振品牌實(shí)力見(jiàn)證未來(lái),KDS集團(tuán)總公司位于日本兵庫(kù)縣加古川,在泰國(guó),印度尼西亞,臺(tái)灣,中國(guó)天津這些大城市均有壓控振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振的生產(chǎn)工廠(chǎng),而天津KDS工廠(chǎng)是全球石英晶體生產(chǎn)最大量的工廠(chǎng),自從1993年在天津投產(chǎn)以來(lái),技術(shù)更新從未間斷.
KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
過(guò)去KDS集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).
KDS集團(tuán)將：不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.
KDS晶振,貼片晶振,DSX8045GA晶振,DSX8045GT晶振,DSX8045GK晶振,貼片石英晶振最適合用于車(chē)載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱(chēng)為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線(xiàn),使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線(xiàn)對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
|
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
DSX8045GA晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8MHZ~80MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +85°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-30°C ～ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
|
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
DSX8045GT晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
4MHZ~8MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C～+125°C工業(yè)級(jí), -40°C ～ +150°C汽車(chē)級(jí) |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C～+85°C工業(yè)級(jí), -40°C ～ +150°C汽車(chē)級(jí) |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
|
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
DSX8045GK晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8MHZ~40MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +150°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C ～ +125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用KDS晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門(mén)或雜散現(xiàn)象.
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應(yīng)盡可能低.
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND.KDS晶振,貼片晶振,DSX8045GA晶振,DSX8045GT晶振,DSX8045GK晶振
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
Statek晶振,貼片晶振,CX16AT晶振
Rakon晶振,溫補(bǔ)晶振,CFPT9050晶振
微管晶振,貼片晶振,VXE4晶振
ECS晶振,石英晶體諧振器,ECX-3SX晶振,ECS-120-20-7SX-TR晶振
ECS晶振,貼片晶振,ECX-32晶振,ECX-33Q晶振,ECS-160-20-33-TR晶振
愛(ài)普生晶振,貼片晶振,SG-51P晶振,SG-51PTJ晶振,SG-51P 16.0000MC:ROHS
愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-531P晶振,SG-531PTJ晶振,SG-531PCG晶振,SG-531SCG晶振,SG-53
愛(ài)普生晶振,SPXO晶振,SG-636晶振,SG-636PCE 4.0000MC0:ROHS