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日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.

日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內外提供世界一流的質量和滿意程度高.所生產進口石英晶體振蕩器,石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導向,創新高效的經營管理,努力創造利潤,履行企業社會責任.

日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發區確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.

日本大真空株式會社,KDS晶振品牌實力見證未來,KDS晶振集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補晶振的生產工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶體生產最大量的工廠,自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷.

日本大真空株式會社KDS晶振遵守法規和監管要求,從事環保產品的開發.

環境政策,在其業務活動的所有領域,從開發、生產和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,大真空集團業務政策促進普遍信任的環境管理活動.

日本大真空株式會社將：

通過適當控制環境影響的物質,減少能源的使用,以達到節約能源和節約資源的目的.

有效利用KDS貼片晶振資源,防止環境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環.

通過開展節能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.

避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產.

遵守有關環境保護的法律、標準、協議和任何公司承諾的其他要求.

根據環境方針制定環境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環境管理體系的持續改進.在我們的環境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環保意識.確保公眾環境保護活動的信息公開.

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日本大真空晶體,有源晶振,DSO531SVL晶振,1、頻率大小:有源晶振頻率越高一般價格越高.但頻率越高,頻差越大,從綜合角度考慮,一般工程師會選用頻率低但穩定的晶振,自己做倍頻電路.總之石英晶振是根據需要去選擇合適的頻率,并不是晶振頻率越大就越好.要看具體需求.比如基站中一般用10MHz的恒溫晶振（OCXO）,因其有很好的頻率穩定性,屬于高端晶振.至于范圍,晶振的頻率做的太高的話,就會失去意義,因為有其他更好的晶振頻率產品代替.產品頻率范圍是：25kHz-1.3G,基本上所有應用中的晶振都可以在產品中找到.

2.、石英晶振頻率穩定度：關鍵參數,我們的高端晶振可以達到10-9級別.

指在規定的工作溫度范圍內,與標稱頻率允許的偏差,用PPm（百萬分之一）表示.一般來說,晶振穩定度越高或溫度范圍越寬,價格越高.對于頻率穩定度要求±20ppm或以上的應用,可使用普通無補償的石英晶體振蕩器.對于介于±1 至±20ppm 的穩定度,應該考慮溫補晶振TCXO .對于低于±1ppm 的穩定度,應該考慮恒溫晶振OCXO.如果客戶有十分特別的頻穩要求,我們可根據客戶要求參數定做.

2、晶振的電源電壓：

低電壓有源晶振常用的有1.8V、2.5V、3.3V、5V等,其中3.3V應用最廣.

3、晶振的輸出：

根據需要采用不同輸出.（HCMOS,SINE,TTL,PECL,LVPECL,LVDS,LVHCMOS等）每種輸出類型都有它的獨特波形特性和用途.應該關注三態或互補輸出的要求.對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應用來說也要作出規定,根據客戶需要我們可以幫助客戶選擇合適的晶振類型型.

5.、工作溫度范圍：

石英晶振工業級標準規定的-40～+85℃這個范圍往往只是出于設計者們的習慣,倘若-20℃～+70℃已經夠用,那么就不必去追求更寬的溫度范圍.對于某些特殊場合如航天軍用等,對溫度有更苛刻的要求.

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KDS晶振項目	符號	DSO531SVL晶振規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	0.7MHz to 40MHz	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	3.0V to 3.3V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.gslzqx.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CCMax.	ST終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CCMax.	ST終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年