微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品.而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、32.768K晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計到量產(chǎn)的全方位支持,服務(wù)范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品.
微晶晶振在瑞士、泰國建有石英晶振,石英晶體振蕩器生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求.全球約550個員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石.我們對管理、環(huán)境、社會責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則（比如對有爭議的原材料的問題上）,這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因.
微晶晶振環(huán)保基本理念：
微晶晶振建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn).將不斷地擴展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項目.
對員工進(jìn)行環(huán)境保護(hù)知識培訓(xùn),提高其環(huán)境意識,建立環(huán)境職責(zé),自覺改進(jìn)、預(yù)防對環(huán)境的負(fù)面影響.在對石英晶振,貼片晶振,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）壓電石英晶體元器件的全過程中努力節(jié)能降耗,實現(xiàn)資源消耗最小化.對產(chǎn)生環(huán)境影響的活動做出及時反應(yīng),并對可能產(chǎn)生環(huán)境負(fù)面影響的活動做出預(yù)防.
瑞士微晶晶振集團減少污染物排放,對不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過設(shè)計工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運營現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.
Microcrystal晶振,圓柱晶振,DS10晶振,32.768K石英晶體頻率穩(wěn)定性強,在各種產(chǎn)品中面對不同環(huán)境其晶振都能夠保持在10PPM高精度.具有極強的抗震性能,在常規(guī)的摔落以及物流運輸過程中都不會受到影響.每一批生產(chǎn)的晶振在出廠時都會經(jīng)過嚴(yán)格的檢驗,采用24小時老化測試為質(zhì)量嚴(yán)格把關(guān).
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
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微晶晶振規(guī)格 |
單位 |
DS10晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-20°C ～ +70°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C ～ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
12.5pF ～ ∞ |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
使用微晶晶振時應(yīng)注意以下事項
插件型晶振安裝注意事項：
安裝時的注意事項導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).
• 修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時,以及要取出晶振等情況下不能強制拔出導(dǎo)腳,如果強制地拔出導(dǎo)腳,會引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使微晶晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時,要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進(jìn)行修改(參閱圖 4).
彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時,導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲,有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時,務(wù)必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).
如果直接在外殼部位焊接,會導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使微晶晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應(yīng)注意將晶振平放時,不要使之與導(dǎo)腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).
焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進(jìn)行焊接.另外,如果利用高溫或長時間對導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱,會導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請注意對導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).Microcrystal晶振,圓柱晶振,DS10晶振
golledge晶振,插件晶振,MS3V晶振
Abracon晶振,32.768K晶振,AB26TRB晶振,AB26TRB-32.768KHZ-T晶振
美國西迪斯晶振,石英晶體,TFNC38晶振
ECS晶振,圓柱晶振,ECS-2X6X晶振,ECS-.327-12.5-13X晶振
ECS晶振,32.768K晶振,ECS-2X6-FLX晶振,ECS-.327-12.5-13FLX-C晶振