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首頁 KDS晶振

1XXD16368MGA,TCXO振蕩器,KDS大真空晶振,DSB211SDN,日本進口晶振

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產品簡介

1XXD16368MGA,TCXO振蕩器,KDS大真空晶振,DSB211SDN,日本進口晶振,隨著科技的高速發展,貼片晶振也逐漸跟著小型化,體積從早期的7050mm,5032mm 等體積到現如今的 2016 貼片晶振,體積的變小也是產品帶來了更高的穩定性能。1XXD16368MGA 為日本進口晶振,DSB211SDN系列,該晶振的頻率是16.368MHz,尺寸2.0*1.6mm,屬于是TCXO振蕩器。該KDS大真空晶振支持低電壓,低相位噪音,單體結構,多用于手機、GPS/GNSS、工業用無線通信設備等。

產品詳情

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隨著科技的高速發展,貼片晶振也逐漸跟著小型化,體積從早期的7050mm,5032mm 等體積到現如今的 2016 貼片晶振,體積的變小也是產品帶來了更高的穩定性能。1XXD16368MGA 為日本進口晶振,DSB211SDN系列,該晶振的頻率是16.368MHz,尺寸2.0*1.6mm,屬于是TCXO振蕩器。該大真空石英晶振支持低電壓,低相位噪音,單體結構,多用于手機、GPS/GNSS、工業用無線通信設備等。

溫度補償晶體振蕩器又稱溫補晶振,是在一定的溫度范圍內通過一定的補償方式(比如電容補償、熱敏電阻網絡補償等)而保持晶體振蕩器的輸出頻率在一定的精度范圍內的晶體振蕩器。它具有開機特性好、功耗低、頻率-溫度穩定性高等特點。

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類型 DSB211SDN (TCXO)
頻率范圍 12.288?52MHz
標準頻率 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍 +1.68 to +3.5V
電源電壓 (VCC) +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
電流消耗 +1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26
輸出電平 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled)
輸出負載 10kΩ//10pF
頻率穩定性
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
啟動時間 最大 2.0ms
包裝單位 3000 個/卷 (Φ180)


DSA1612SDN DSA211SDN DSA221SDN DSA321SDN DSB1612SDN DSB211SDN DSB221SDN DSB321SDN

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DSB211SDN

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1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.

3:化學制劑/ pH值環境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.

4:粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)

5:鹵化合物

請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

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