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首頁 希華晶振

希華晶振,貼片晶振,GX-70502晶振

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產品簡介

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

產品詳情

XH-1

希華晶振晶體科技有限公司成立于1988,希華正式成立, 資本額為1,500萬元整,開始以普通石英頻率控制元件之研發、設計、生產與銷售.從人工晶棒長成到最終產品,透過最佳團隊組合及先進之生產技術,建立完整的產品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產品等,以健全的供應煉系統,為客戶提供全方位的服務.

在十年的時間里希華晶體科技刻苦專研,開發大量新產品,正式從原始普通石英晶體諧振器,慢慢的步入SMD晶體,有源貼片晶振領域,并且成功在1998年回到祖國的懷抱,到了沒了的中國廣東省東莞市投資建廠, 主要生產SMD晶振系列,剛開始以有源5070mm石英晶體振蕩器為主.后在慢慢的開始量產常規石英晶體諧振器,后以小尺寸3225mm,2520mm貼片晶振為主.

希華晶振晶體科技有限公司敏銳地掌握電子產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發展主流,致力于開發小型化、高頻與光電領域等產品,與日本同業并駕齊驅.且深耕微機電(MEMS)技術領域,加速導入TF SMD Crystal的量產,藉以擴大公司營收規模并且提升獲利空間.
希華晶振晶體科技有限公司藉由臺灣、日本、大陸三地的產品設計開發與制程資源整合,不斷開發創新及制程改造,以全系列完整產品線,來滿足客戶對石英元件多樣化的需求.積極地透過產學合作與配合國外技術引進開發新產品,多角化經營、擴大市場領域,此亦為公司得以永續經營的方針.

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希華晶振,貼片晶振,GX-70502晶振,貼片石英晶振最適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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希華晶振規格

單位

GX-70502晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

6MHZ~70MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標準),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.gslzqx.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出標準說明,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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GX-70502 GX-70504 7050

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在使用希華晶振時應注意以下事項:

以下是石英晶振電路設計匹配問題:

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規格)
Rf
為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd
為限流電阻470Ω1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:

線路連接的電阻(R)與晶體串聯
2)從起點到振蕩的停止點調整R的值.
3)振蕩期間測量R的值.
4)你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容(CdCG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL.
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.希華晶振,貼片晶振,GX-70502晶振

當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

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