SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導體公司,提供了業界最好的時間解決方案.我們的團隊熱衷于解決高性能電子產品中最困難的時間問題.我們已經向世界各地的客戶運送了超過6.25億臺設備,占MEMS時間的90%,并且年增長率超過50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨立子公司, 主要以生產高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器等器件為主.

在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時鐘發生器和石英晶體諧振器是電子器件中主要的參考計時元件.由于沒有其他選擇,OEMs和ODMs接受了石英定時裝置固有的局限性.現在,有了強大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經開發出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.

Sitime晶振集團的MEMS技術起源于博世和斯坦福大學.在我們的創始人創辦SiTime之前,他們花了幾年時間在位于德國的博世和加州的帕洛阿爾托開發了拯救生命的MEMS解決方案.自2005年成立以來,SiTime已經開發了幾代先進的kHz石英晶體和MHz MEMS諧振器,具有最高的性能、最低的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性.我們還開發了一個全面的開發和仿真平臺,確保所有MEMS諧振器的第一個硅成功.SiTime的MEMS諧振器不僅在我們銷售的每一種產品中都有,其他半導體公司在其SOCs中集成了SiTime的MEMS諧振器,以提供獨特的、高容量的解決方案,不需要外部時鐘.

Sitime晶振,石英晶體振蕩器,SiT8925B晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減?。?/span>3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

在使用SITIME晶振時應注意以下事項：

以下是石英晶振電路設計匹配問題：

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯
（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.Sitime晶振,石英晶體振蕩器,SiT8925B晶振

當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.