日本電波工業株式會社NDK晶振搶先取得社會需求,為客戶提供高質量的服務與晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振.追求使用更方便、更穩定的發振源,創造更高的附加價值.
NDK晶振日本電波工業株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業生產廠家,以“通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創業理念為基礎于1948年成立.
現在我們作為提供電子業必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產品以及應用水晶技術的傳感器等新的高附加價值產品的頻率綜合生產廠家,正以企業的繼續成長為目標而努力.
NDK晶振,VCXO晶振,NV5032SA晶振,NV5032SB晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
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NDK晶振型號 |
NV5032SA晶振 |
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輸出頻率范圍 |
62~170MHz |
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標準頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待機時電流 |
-更多詳細參數請聯系我們http://www.gslzqx.com/ |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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NV5032SB壓控晶振參數表
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NDK晶振型號 |
NV5032SB晶振 |
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輸出頻率范圍 |
1.25~60MHz |
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標準頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待機時電流 |
-更多詳細參數請聯系我們http://www.gslzqx.com/ |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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NDK電壓控制晶體振蕩器型號
NDK壓控晶振型號
尺寸大小
頻率范圍
輸出規格
頻率
電壓
L
W
H
Min.
Max.
[×10-6]
[VCC]
NV5032SB晶振
5.0
3.2
1.2
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
NV5032SA晶振
5.0
3.2
1.2
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV5032SC(低相位噪聲)
5.0
3.2
1.2
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SF壓控晶振
7.0
5.0
1.6
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
122.88
NV7050SA貼片晶振
7.0
5.0
1.6
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV7050SA(低相位噪聲)
7.0
5.0
1.6
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA(高溫范圍）
7.0
5.0
1.6
122.88
122.88
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA壓控振蕩器
7.0
5.0
1.6
80
170
LVPECL
±50
+3.3
(mm)
(MHz)
偏差
(V)
在使用NDK晶振時應注意
清潔
對于可清洗晶振產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等.
儲存
晶體振蕩器的環境溫度和濕度儲存應根據常溫和正常情況而定濕度（+5至45°C和10至75％）.溫度和濕度以上顯示的是確保環境的環境標準晶體振蕩器的特性在進入時不會惡化使用或在長時間不使用電源后使用施加電源電壓.但是,電氣和機械特性,如振蕩頻率老化特性和焊接性能,可能會隨時間而變化.因此它是建議不要將晶體振蕩器存放起來長期（三個月或更長時間）,雖然取決于關于他們的規格和配置,存儲期限將不同.NDK晶振,VCXO晶振,NV5032SA晶振,NV5032SB晶振
此外,請勿將晶體振蕩器存放在環境中高溫高濕（相對濕度：75％或更多）以及產生腐蝕性氣體的地方.如果你需要在暴露于海洋的環境中使用晶體振蕩器微風或濕度高的地方和露水凝結容易發生,考慮使用密封的.
NDK晶振,VCXO晶振,NV5032S晶振,壓控晶體振蕩器