NDK晶振日本電波工業株式會社的發展歷史：
1948 年在東京都中央區日本橋設立南部商工株式會社生產銷售32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振等元器件.
1949 年開始晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的制造、銷售
1950 年 NDK晶振公司名變更為日本電波工業株式會社
總公司遷移登記至東京都涉谷區大山町
1954 年建設、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區代代木新町（現為 涉谷區西原）
1959 年日本電波工業株式NDK晶振會社開始晶體濾波器,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的制造
1960 年開始晶體振蕩器,貼片晶振,聲表面濾波器,陶瓷霧化片,石英晶體諧振器,石英晶體的制造
1962 年日本電波工業株式NDK晶振會社著手在崎玉縣狹山市建立新工廠（現為 狹山事業所）
1963 年在狹山事業所建成人工水晶工廠、開始人工水晶的制造
在狹山事業所建成水晶切斷工廠,在日本證券業協會進行店面登記
1964 年在狹山事業所建成組裝工廠
在大阪府大阪市設立大阪辦事處
1970 年在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會社（現為 新瀉NDK）
1975 年日本電波工業株式NDK晶振會社在美國加利福尼亞州設立美國辦事處
1976 年在宮城縣古川市（現為 大崎市）建立古川NDK株式會社
1979 年在馬來西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.生產銷售32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等
日本電波工業株式NDK晶振會社為取得更大發展而解散美國辦事處,設立NDK America, Inc.
1985 年日本電波工業株式會社NDK晶振在狹山事業所主樓竣工
1986 年在愛知縣岡崎市設立中部營業所
在馬來西亞建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.（現為 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.）
狹山事業所新館竣工
1988 年在新加坡設立NDK Electronics Singapore Pte. Ltd.（現為 NDK Crystal Asia Pte. Ltd.）
在英國設立NDK Europe Ltd.
1989 年北在北海道函館市建立函館NDK株式會社
1990 年在東京都新宿區西新宿設立總公司事務所 在東京證券交易所 市場第2部上市
1994 年 在中國江蘇省建立蘇州日本電波工業有限公司,生產銷售石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等,在意大利設立NDK Italy Srl（現為 NDK Europe Ltd. Italy Office）NDK取得ISO9001認證
1995 年在香港成立日本電波工業（香港）有限公司
1998 年 NDK取得QS9000認證 在東京證券交易所 市場第1部上市
1999 年狹山事業所取得ISO14001認證
2001 年在德國設立NDK Europe Ltd. German Office
2002 年 NDK America, Inc. 的總公司辦公室搬至美國伊利諾斯州在美國伊利諾斯州成立NDK America, Inc. 在北海道函館市建立NRS Technologies Inc. 在中國上海設立日電波水晶（上海）貿易有限公司
2004 年在北海道千歲市成立千歲技術中心
2005 年函館NDK吸收合并NRS Technologies Inc. 總公司搬至東京都涉谷區笹冢
2008 年品質保證試驗室取得ISO/IEC 17025：2005的認證獲東京海關批準為特定出口商
2009 年狹山事務所內的新研發大樓"Laboratory ATOM"竣工在中國蘇州設立蘇州日電波貿易有限公司
2010 年 NDK石英晶振成為日本國內第一家遵循IFRS準則的企業
2014 年 NDK晶振集團取得ISO13485認證
2015 年日本電波工業株式會社NDK晶振總部遷到東京都澀谷區笹冢（和遷移前相同區域）
NDK晶振,溫補晶振,NT5032BB晶振,日本進口有源晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態.
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NDK晶振型號 |
NT2016SA（TCXO） |
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輸出頻率范圍 |
10~52MHz |
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標準頻率 |
16.368M/16.369M/19.2M/26M/33.6M/38.4M/52M |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz） |
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待機時電流 |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
- |
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頻率控制極性 |
- |
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啟動時間 |
2.0ms max. |
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日本電波基干網絡裝置的高精度TCXO晶振型號
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NDK晶振型號 |
頻率范圍 |
尺寸大小 |
工作溫度范圍 |
頻率 |
電源電壓 |
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Min. |
Max. |
L |
W |
H |
Min. |
Max. |
[×10-6] |
[VCC] |
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NT5032BA晶振 |
10 |
26 |
5.0 |
3.2 |
1.8 |
-10 |
+70 |
± 0.07 |
+3.3 |
|
10 |
40 |
5.0 |
3.2 |
1.8 |
-40 |
+85 |
± 0.28 |
+3.3 |
|
|
10 |
25 |
5.0 |
3.2 |
1.8 |
-40 |
+105 |
± 0.5 |
+3.3 |
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NT5032BB晶振 |
10 |
26 |
5.0 |
3.2 |
1.8 |
-10 |
+70 |
± 0.07 |
+3.3 |
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10 |
40 |
5.0 |
3.2 |
1.8 |
-40 |
+85 |
± 0.28 |
+3.3 |
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10 |
25 |
5.0 |
3.2 |
1.8 |
-40 |
+105 |
± 0.5 |
+3.3 |
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NT7050BB晶振 |
10 |
26 |
7.0 |
5.0 |
2.0 |
-10 |
+70 |
± 0.07 |
+3.3 |
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10 |
40 |
7.0 |
5.0 |
2.0 |
-40 |
+85 |
± 0.28 |
+3.3 |
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10 |
25 |
7.0 |
5.0 |
2.0 |
-40 |
+105 |
± 0.5 |
+3.3 |
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NT7050BC晶振 |
10 |
26 |
7.0 |
5.0 |
2.0 |
-10 |
+70 |
± 0.07 |
+3.3 |
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10 |
40 |
7.0 |
5.0 |
2.0 |
-40 |
+85 |
± 0.28 |
+3.3 |
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10 |
25 |
7.0 |
5.0 |
2.0 |
-40 |
+105 |
± 0.5 |
+3.3 |
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在使用NDK晶振時應注意
晶振產品使用每種產品時,請在石英晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用.因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別. NDK晶振,溫補晶振,NT5032BB晶振,日本進口有源晶振
晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求.通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安 裝,運輸.請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任.
機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
Greenray晶振,溫補晶振,T52晶振,T53晶振
大真空晶振,TCXO晶振,DSB535SC晶振