Pletronics晶振公司創建于1979年,主要研發生產晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經驗.所生產的產品使用范圍廣包括亞洲、歐洲和北美的制造業.Pletronics晶振公司擁有國際工程,物流和銷售支持.產品設計創新,價格競爭有優勢,訂貨交期時間短在業界具有較好的聲譽.
Pletronics晶振公司關注用戶需求,不斷研發新品,改善現有產品.能夠滿足不同客戶對于石英晶振, 貼片晶振,溫補晶體振蕩器等頻率控制元件的需求提供一個完整的解決方案.
Pletronics晶振公司運用ISO14001環境管理系統進行環境管理,盡最大可能減小業務活動對環境造成的負擔,并通過業務發展推進環境改善.
Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振，差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網絡路由器、SATA,光纖通信,10G以太網、超速光纖收發器、網絡交換機等網絡通訊設備中.網絡設備對高標準參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統性能重要參數的相位抖動具備低抖動特征.使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現高頻高精度等要求,更加保障了各種系統參考時鐘的可靠性.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.
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Pletronics晶振型號
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符號 |
LV55D晶振 |
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輸出規格 |
- |
LVDS |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
13M～220MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40～+85℃ |
|
運行溫度范圍 |
T_use |
-10～+70℃ ,-40～+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
|
待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形對稱 |
SYM |
45～55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
-更多晶振參數請聯系我們http://www.gslzqx.com |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247～0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
補償電壓 |
VOS |
1.125～1.375V |
|
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
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Pletronics晶振型號 |
符號 |
LV55F晶振 |
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輸出規格 |
- |
LVDS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
13～220MHz |
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電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40～+85℃ |
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運行溫度范圍 |
T_use |
-10～+70℃ ,-40～+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對稱 |
SYM |
45～55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
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1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247～0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補償電壓 |
VOS |
1.125～1.375V |
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補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
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相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用Pletronics晶振時應注意以下事項：
產品設計人員在設計振蕩回路的注意事項
1. 驅動能力
驅動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2.
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩.為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻.
3. 負載電容
如果振蕩電路中晶振的負載電容不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振
EPSON晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振
CTS晶振,差分晶振,653晶振,654PL晶振,655晶振