GXO-U108L/AI-33.333MHz,CMOS有源晶振,Golledge貼片晶振,GXO-U108L石英晶振
Golledge 在晶振制造領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)和卓越的技術(shù)實(shí)力,以高品質(zhì)和創(chuàng)新精神著稱。GXO - U108L 有源晶振經(jīng)過了嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)和性能驗(yàn)證,從原材料的選擇到生產(chǎn)工藝的把控,每一個(gè)環(huán)節(jié)都遵循著嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。其可靠的品質(zhì)和出色的性能,贏得了眾多客戶的信賴,廣泛應(yīng)用于通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域。無論是在高溫、低溫、潮濕等惡劣環(huán)境下,還是面對(duì)復(fù)雜的電磁干擾,該石英晶體振蕩器都能保持穩(wěn)定的性能,為電子設(shè)備的長期可靠運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)保障。
Golledge晶振的 GXO - U108L/AI - 33.333MHz 石英晶振,憑借精準(zhǔn)的頻率輸出、CMOS 有源設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)、適應(yīng)現(xiàn)代生產(chǎn)的貼片封裝形式以及可靠的品牌品質(zhì),成為了電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件,為推動(dòng)電子技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用發(fā)揮著重要作用。
作為7050貼片晶振,GXO - U108L 采用了適合表面貼裝技術(shù)(SMT)的封裝形式。這種封裝形式具有尺寸小、重量輕的優(yōu)點(diǎn),能夠有效節(jié)省電路板的空間,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。同時(shí),貼片封裝便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn),提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。在大規(guī)模生產(chǎn)過程中,能夠快速、準(zhǔn)確地將晶振安裝到電路板上,保證產(chǎn)品的一致性和可靠性。
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Frequency range | 12.0kHz ~ 170MHz |
Dimensions | 7.5 x 5.0 x 1.4mm |
Storage temperature range | -55 to +125°C |
Supply voltage (VDD) | +3.3V (±0.3V) |
Supply current | 12mA max (≤32.0MHz) |
17mA max (>32.0 ~ 50.0MHz) | |
18mA max (>50.0 ~ 67.0MHz) | |
40mA max (>67.0 ~ 125MHz) | |
50mA max (>125 ~ 170MHz) | |
Logic levels | ‘0’ level = 10%VDDmax |
‘1’ level = 90%VDDmin | |
Start up time | 5ms max (≤32MHz) |
10ms max (>32MHz) | |
Waveform symmetry | 45:55 max (≤50.0MHz) |
40:60 max (>50.0MHz) | |
Driving ability | 10 LSTTL |
15pF CMOS輸出晶振 | |
Rise / fall time | 7ns max (<80.0MHz) |
4ns max (80.0 ~ 125MHz) | |
3ns max (125 ~ 170MHz) | |
Enable / disable function | Tristate (control via pad 1) |
10ms / 100ns | |
Stand-by current | 10µA |
Net mass | 135mg |

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所有石英晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。