服務是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時時為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對于我們的石英晶振,貼片晶振,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產品的質量要求以及服務價值.憑借先進的設備一流的技術以及公司訓練有素的服務團隊,多方面的滿足各領域客戶的不同需求,從而成為晶振行業內的最佳資源之一.
Ecliptek日蝕晶振公司成立于1987年,是一家石英晶振晶體,貼片晶振頻率元件控制市場上公認的領導者.日蝕晶振公司擁有先進的產品和領先的技術使我們能夠為客戶提供最好的石英晶體,貼片晶振,石英水晶和有源晶振,石英晶體振蕩器,貼片振蕩器產品.
日蝕晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標,并確保其環境保護活動的質量.集團公司將關注所有環境適用的法律、法規和協議的遵守情況.另外為更有效的進行環境保護,將建立自己的特有的環境標準.集團將在各領域內的商務運作中實施持續改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
盡可能的采用無害的石英晶振, 晶體振蕩器,有源晶振壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體的原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.
ECLIPTEK晶振,無源晶振,EA2025FA08-16.000M TR晶振,EA2025FA晶振,小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具備優良的耐環境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.
對于圓片晶振,X、Z 軸較難區分,所以石英晶振對精度要求高的產品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產品的溫度特性.石英晶振產品電極的設計:石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設計很關鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大,故對電極的設計提出了更精準的要求.
日蝕晶振規格 |
單位 |
EA2025FA晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12.00MHZ~54.0MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用ECLIPTEK晶振時應注意以下事項:
以下是石英晶振電路設計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯
(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.ECLIPTEK晶振,無源晶振,EA2025FA08-16.000M TR晶振,EA2025FA晶振
當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.