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KDS-2

1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規模生產石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業.

1973年開設kurodasho廠（現在的西脅工廠）生產晶體管.

1974年開設川廠（現在的涼廠）是目前人造石英晶體,（SPXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產規模最大的.

1976年開設宮崎廠（目前九州大真空公司）為音叉型石英晶體諧振器生產,在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空（美國）有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.

1980年開設鳥取工廠（目前鳥取生產部）對晶體諧振器生產增加.同年開始生產石英晶體濾波器和晶振時鐘.

1981年建立大真空（香港）公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠（目前德島生產部）作為人造石英晶體的穩定的生產基地,部分設備和石英諧振器,開始大規模生產光學低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產陶瓷產品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業.開始的溫度補償石英晶體振蕩器（TCXO）生產和電壓控制晶體振蕩器（VCXO）.

1988建立大真空（新加坡）有限公司加強在東盟地區銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節上市.建立大真空（德國）公司加強在歐洲的銷售.

1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產.

1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001（國際標準化組織質量管理標準）.

1998（獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.）

2000獲得ISO14001（環境管理體系由國際標準化組織）,獲得ISO / TS 16949（技術規范由國際標準化組織）.

2003擴大生產規模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等器件業務.

2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空（泰國）有限公司.

2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節上市.

日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創業時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應用產品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.

日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO晶振）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.

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KDS晶振,貼片晶振,DSX530GA晶振,DSX530GK晶振,二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,可應用于高速自動貼片機焊接,產品本身設計合理,成本和性能良好,產品被廣泛應用于平板電腦,MP5,數碼相機,USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.

石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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KDS晶振規格	單位	DSX530GA晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	7.9MHZ~64MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40℃~+85℃民用級 -40°C ～ +150°C汽車級	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C民用級 -40℃~+125℃汽車級	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標準), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.gslzqx.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振規格	單位	DSX530GK晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	8MHZ~54MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標準), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.gslzqx.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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DSX530GA_GK_jp

在使用KDS晶振時應注意以下事項:

晶體產品線路焊接安裝時注意事項

耐焊性：

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.KDS晶振,貼片晶振,DSX530GA晶振,DSX530GK晶振

（1）柱面式產品和DIP產品

晶振產品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C