臺灣晶技TXC晶振多年來,我們始終以提升客戶價值為目標,是以無論在價格、質量、交期、服務等方面,均盡力盡心于超越客戶的期待,并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促.經過三十年的努力,臺灣晶技總公司而外,另設有如下之生產據點:臺北市、桃園市、寧波市、以及重慶市.
臺灣晶技TXC晶振公司是一家領先的專業頻率控制,溫補晶振,石英晶體振蕩器,石英晶體諧振器,石英晶體,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等產品制造商致力于研究,設計,制造和銷售雙列直插封裝(DIP)和表面貼裝器件(SMD)石英晶體和振蕩器產品.
臺灣晶技TXC晶振公司目前專業從事這些類別的產品:晶體(32.768kHz,基本兆赫,高精度的兆赫,汽車級)
Oscillators(32.768kHz,CMOS硅MEMS,差分輸出,看到汽車級),壓控晶體振蕩器(CMOS差分輸出),TCXO(基礎、GPS、精密),壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)等.
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.
6U晶振,BR晶振參數規格
項目 |
符號 |
規格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1MHz to 59MHz |
請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
電源電壓 |
VCC |
3.3V to 5 V |
請聯系我們以了解更多相關信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯系我們查看更多資料http://www.gslzqx.com/ |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
6U晶振尺寸圖
BR晶振尺寸圖
在使用TXC晶振時應注意
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.