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非常適合蜂窩電話應用STC21C25O07-38.400M溫補晶振

2023-05-31 11:42:27 

非常適合蜂窩電話應用STC21C25O07-38.400M溫補晶振，這是一家擁有非凡影響力知名頻率元器件制造商，這就是松圖晶振公司，公司自成立以來專注于研發設計生產高品質高質量的貼片有源晶振產品，產品具備卓越的穩定性能以及可靠性能，擅長利用自身資源，針對市場環境不斷優化與迭代自身的產品，使得其贏得更多的機會，同時也得到更多同行的信賴，并與之建立深度的合作關系。

歐美晶振Part Number Package Logic Voltage Stability Operating Temp TCXO/VCTCXO
STC21C25O07-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃- +70℃ TCXO
STC21C25O07-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O07-50.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm 0℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O16-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O16-50.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +60℃ TCXO
STC21C25O17-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O17-50.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -10℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O27-50.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -20℃ - +70℃ TCXO
STC21C25O38-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO溫補晶振 CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
STC21C25O38-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm -30℃ - +85℃ TCXO
TCXO晶振使用采樣技術來校正晶體振蕩器電路的溫度缺陷、封裝和環境。典型地，校正技術包括晶體坯的運動電感和終端電容的物理和電特性。這方面的知識用于創建校正多項式或算法，進而在電路模塊中實現，并保持比標準振蕩器更好的穩定性。非常適合蜂窩電話應用STC21C25O07-38.400M溫補晶振.STC21C 1

松圖很自豪發布編碼STC21C25O07-38.400M，型號STC21，超小型封裝2.0X1.6mm, 腳位SMD (4PAD) ，TCXO溫補晶振，OSC石英晶振，支持輸出CMOS，電壓為2.5V±5%，頻率穩定性±2.5ppm，工作溫度0℃-+70℃,產品特點：±2.5ppm(頻率穩定性)可用，互補金屬氧化物半導體，TCXO，磁帶和卷軸，產品主要應用于基站，IP網絡，蜂窩電話和無繩電話。

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