10兆赫/100兆赫精密超低相噪雙通道頻率OCXO參考模塊

2020-03-25 17:31:34

電子產品正在向小型,高精度,高度集成化方向發展,石英晶振產品作為電子產品必不可缺的元器件,它的性能也一直在跟隨著市場需求而不斷提高.幾乎上所有的晶振廠家都在這條道路上堅定而快速的行進著.隨著5G,自動駕駛,AI等高端技術的出現,許多晶振廠家紛紛推出具備低相噪性能的石英晶體振蕩器,以滿足5G應用設備對頻率信號的需求.就在今年一月份,NEL晶振就推出了10兆赫/100兆赫精密超低相噪雙通道頻率OCXO參考模塊(DFRM).

DFRM由2個10兆赫和100兆赫的超低相位噪聲OCXO組成.該模塊封裝在一個非常小的密封金屬罐中(“歐洲包”)36x27x25毫米.100兆赫的單元相位/頻率鎖定在10兆赫.(該模塊還提供將100兆赫OCXO鎖定到外部的能力參考文獻5*).低頻OCXO提供了出色的頻率穩定性溫度,時間(老化),供應和負載變化以及異常情況接近載波的低相位噪聲和短期穩定性(艾倫方差).100MHzOCXO在噪底和高輸出上提供超低相位噪聲力量.

該恒溫晶振的特性如下:

①兩個頻率輸出:10.000兆赫和100.000兆赫

②超低相位噪聲

③偏移1赫茲時,0-115分貝/赫茲;偏移10赫茲時,10兆赫時,0-145分貝/赫茲

④0-123分貝/赫茲(10赫茲偏移),至-178分貝/赫茲(100千赫茲,100兆赫)

⑤±2 ppb的出色溫度穩定性

⑥0.25 ppb/天的低老化

⑦出色的短期穩定性1秒時ADEV < 1E-12

⑧非常小的密封包裝

這款有源晶振的應用范圍如下:

①使用儀器

②高性能合成器

③雷達

④電信設備

該有源晶振的部分參數如下:

Parameter

Symb

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Note

Electrical (6)

Frequency	F10			10.000		MHz	Pin4
Frequency	F100			100.000		MHz	Pin5
Frequency stability	6F/F	vs. Temp. 4*		±20		ppb	See chart below
Frequency stability	6F/F	vs. Supply		0.2	0.3	ppb/10%Vcc
Aging		per day per year, first year second year		5E-10 5E-8 2E-8			after 30 days 5*
SSB Phase Noise	£(Δf)	1Hz			-115	dBc/Hz	10 MHz output 5*
(achieved after 10		10 Hz			-145
minutes warm-up)		100 Hz			-157
		1 KHz			-162
		10 KHz			-167
		100 KHz			-168
		1Hz			-90	dBc/Hz	100 MHz output, Grade
		10 Hz		-125	-123		“U” 5*
		100 Hz			-130
		1 KHz			-160
		10 KHz			-172
		100 KHz			-178
		1MHz			-180
Retrace		After 30 minutes			±10	ppb	24 Hours off 3*
G-sensitivity		worst direction			±1.0	ppb/G
Input Voltage	Vcc		4.75	5.0	5.25	V
Power consumption,	P	steady state, 25°C		2.2	2.5	W
Spectral Purity		Subharmonics		-70	-60	dBc	At 100 MHz output
		10 MHz		-60	-50		At 100 MHz output
		Spurious			-80
		Harmonics		-35	-30		Either output
Load	Internally AC-coupled 50 Ohm both outputs
Warm-up time	y	to 0.1ppm accuracy		3	5	minutes
Output Waveform		Sinewave
Input impedance	Zin	At Vc pin	10			KOhm
Modulation bandwidth	Fm		DC		1	KHz
Reference Voltage	Vref			4.5		V
Output Impedance		At Vref pin		100		Ohm